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J-GLOBAL ID：202202222502759180   整理番号：22A0858339

n-Siと接触するAu-金属の添加における異なるドーパントを有するTiO_2薄膜の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of TiO₂ Thin Film with Different Dopants in Bringing Au-Metal into a Contact with n-Si

著者 (4件)： Yildiz D. E. (Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Hitit University, Corum, Turkey) ,  Gullu H. H. (Microelectronics, Guidance and Electro-Optics Division, Optical and Optomechanical Design Department, ASELSAN Inc, Ankara, Turkey) ,  Gullu H. H. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Atilim University, Ankara, Turkey) ,  Cavus H. Kanbur (Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Bozok University, Yozgat, Turkey)
資料名： Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials  (Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials)
巻： 32  号： 3  ページ： 1067-1077  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0462A  ISSN： 1574-1443  CODEN： JIOPE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Au/n-Si金属-半導体(MS)ダイオードの界面において,酸化グラフェン(GO)とフッ化ルビジウム(RbF)として2つの異なるドーピングと共にTiO_2の寄与の影響を調べた。ダイオード特性は主に電流-電圧測定から評価され,障壁高さと理想因子の値は界面層にドーピング有りと無しのダイオードと比較された。界面層の存在はこれらの値を増加させるが,TiO_2構造にGOとRbFを適応させると減少する。さらに,直列とシャント抵抗値を界面層で計算し,抵抗効果をNordeとCheung関数によって議論した。順方向バイアスキャリア輸送機構を熱電子放出モデルによって界面状態の存在下で評価し,界面トラップ状態の密度も議論した。逆バイアス領域では,電界効果熱電子放出モデルが支配的な流れ機構であり,漏れ電流挙動がSchottky効果によって説明される。異なる照明強度を有する太陽シミュレータを用いて,ダイオードの光発生キャリア寄与と光応答を調べた。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  ダイオード ,  *薄膜 ,  半導体 ,  表面準位 ,  高さ ,  熱電子放出 ,  ドーピング ,  漏れ電流 ,  *ドーパント
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  界面トラップ ,  界面層 ,  逆バイアス ,  シャント抵抗 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： TiO_2薄膜 ,  Schottkyダイオード ,  電流電圧特性 ,  電気特性評価

分類 (4件)： 充填剤,補強材  (YH05030J) ,  性質・試験一般  (YH02010S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Au ,  ドーパント ,  薄膜