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J-GLOBAL ID：202202222784940683   整理番号：22A1113383

ランダムに分布した空孔を有する窒化ほう素の物理的性質のプロービング:オプトエレクトロニクスのための有望な半導体【JST・京大機械翻訳】

Probing the physical properties of Boron Nitride with randomly distributed vacancies: A promising semiconductor for optoelectronics

著者 (9件)： Ouadah Ouahiba (Division of Materials Discovery (DEPM), Unit of Research on Materials and Renewable Energies (URMER), University Abou Bekr Belkaid, B.P 119, Tlemcen, 13000, Algeria) ,  Merad Hikmet A. (Division of Materials Discovery (DEPM), Unit of Research on Materials and Renewable Energies (URMER), University Abou Bekr Belkaid, B.P 119, Tlemcen, 13000, Algeria) ,  Hidouri Tarek (Micro-Optoelectronic and Nanostructures Laboratory, LR99ES29, Department of Physics, Faculty of Sciences Monastir, University of Monastir, Street of Environment, 5019, Monastir, Tunisia) ,  Yahia Ibrahim S. (Laboratory of Nano-Smart Materials for Science and Technology (LNSMST), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Yahia Ibrahim S. (Research Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Yahia Ibrahim S. (Nanoscience Laboratory for Environmental and Biomedical Applications (NLEBA), Semiconductor Lab., Metallurgical Lab.1, Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, 11757, Egypt) ,  Zahran Heba Y. (Laboratory of Nano-Smart Materials for Science and Technology (LNSMST), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Zahran Heba Y. (Research Center for Advanced Materials Science (RCAMS), King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Zahran Heba Y. (Nanoscience Laboratory for Environmental and Biomedical Applications (NLEBA), Semiconductor Lab., Metallurgical Lab.1, Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, 11757, Egypt)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 348-349  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素Nitride(BN)セラミックは良好な機械的強度,光学的性質および優れた熱安定性を有する。その有利な特性のため,BNは超硬半導体ベースのオプトエレクトロニクス技術において広い応用を有する。ここでは,六方晶(h-BN),閃亜鉛鉱(c-BN),およびウルツ鉱型ホウ素NitrideにおけるBN結晶化の構造的,電子的,磁気的,光学的,および機械的特性に及ぼすモノ-およびジバタンシーの影響を,第一原理ベースの計算を用いて詳細に検討した。V_BとV_N空孔が電子構造を変化させ,Fermi準位近傍の局在状態によって示した。ジ空孔はFermi準位以上でより新しい状態を生成する。また,V_Nを有するBN系はn型半導体を持ち,一方,V_B空孔はBNを良好に安定化し,最大の正孔移動度と良好な電気伝導率を有するp型半導体を反映するという反対の傾向を持つ。さらに,モノおよびジバクタンはBNの強磁性を誘起する。BN空系に対する最大全磁気モーメントは,2-Boron空孔配置の場合に2.00μ_Bであった。この知見はスピントロニクス応用に対するドアも開いた。光学的および機械的性質は,BNシステムが次世代エレクトロニクスのための有望な材料であることを明らかにした。最後に,この研究は,BNナノリボン製造の方法と,オプトエレクトロニクスとスピントロニクスにおける広範囲の応用を有する機能性半導体としてのその使用を開いた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  結晶化 ,  セラミック ,  電子構造 ,  *半導体 ,  磁気 ,  Fermi準位 ,  閃亜鉛鉱 ,  *電子技術 ,  *オプトエレクトロニクス ,  六方晶系 ,  *窒化ホウ素 ,  局在状態 ,  ナノ構造 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化ホウ素 ,  B-N空孔 ,  オプトエレクトロニクス ,  機械的性質 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分布 ,  空孔 ,  窒化ほう素 ,  物理的性質 ,  オプトエレクトロニクス