Goetz Katelyn P. について
Nanoscale Device Characterization Division, National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, USA. sujitra@nist.gov について
Iqbal Hamna F. について
Bittle Emily G. について
Hacker Christina A. について
Pookpanratana Sujitra について
Jurchescu Oana D. について
Materials Horizons について
アクセプタ について
界面 について
キャリア移動度 について
正孔 について
相互作用 について
単結晶 について
電荷 について
電荷移動 について
ドナー について
FET【トランジスタ】 について
電荷移動錯体 について
スペクトロスコピー について
HOMO について
電子状態 について
電荷輸送 について
分子化合物 について
有機化合物の電気伝導 について
固-固界面 について
電荷移動錯体 について
単結晶 について
ドナー について
アクセプタ について
相互作用 について
研究 について
モデル について