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J-GLOBAL ID:202202223268184093   整理番号:22A1150765

高エントロピー炭化物のバイポーラ高出力インパルスマグネトロンスパッタリング合成【JST・京大機械翻訳】

Bipolar high-power impulse magnetron sputtering synthesis of high-entropy carbides
著者 (4件):
資料名:
巻: 105  号:ページ: 3862-3873  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,反応性バイポーラ高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)による高エントロピー炭化物合成について報告する。反応性ガス流速による非制御微細構造と化学量論発達は,多成分炭化物の従来の直流(DC)と高周波(RF)マグネトロンスパッタリングの主要な制限である。HiPIMSにより,これらの化学的に無秩序な結晶は,炭素欠乏金属(C/M<1)から化学量論的セラミック領域(C/M~1)へ,そして,HiPIMS堆積中の炭素量の関数として,ナノ複合材料エンボジメント(C/M>1)に,構造的および組成的に転換した。X線回折,X線光電子分光法,Raman分光法,走査電子顕微鏡,およびナノインデンテーション硬度測定を組合せて,合成領域の3つの領域を実証した。HiPIMSは,従来のDCおよびRFマグネトロンスパッタリングの場合において理解されない,微細構造および化学量論に対して大きな制御を有する金属,セラミックおよび複合炭化物へのアクセスを提供する。特に,化学量論的セラミックゾーンは,ナノ複合材料微細構造(C/M>1)に転移する前に,一定炭素対金属比(C/M-1)を,メタン流動の延長量にわたって維持する。遷移帯幅は,価電子濃度(VEC)と相関する炭素に対する材料親和性に依存する。このように,新しい高エントロピー炭化物の合成条件を,VECに基づいて理解し,予測した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 
物質索引 (1件):
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