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J-GLOBAL ID：202202223640619926   整理番号：22A0571321

立方晶Hf_1-xTi_xO_2の電子,熱電,および光学研究:重要なパラメータを強化する試み【JST・京大機械翻訳】

Electronic, thermoelectric, and optical studies of cubic Hf_1-xTi_xO₂: An attempt to enhance the key parameters

著者 (3件)： kumar Rajesh (Department of Applied Physics, Delhi Technological University (DTU), Delhi, 110042, India) ,  Vij Ankush (Department of Physics, University of Petroleum and Energy Studies (UPES), Uttarakhand, 248001, India) ,  Singh Mukhtiyar (Department of Applied Physics, Delhi Technological University (DTU), Delhi, 110042, India)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 307  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,熱電(TE)および光電子デバイスにおける可能な応用に対する第一原理計算を用いて,c-HfO_2の構造,電子,輸送および光学特性に及ぼすTiドーピングの影響を調べた。Hf_1-xTi_xO_2のSeebeck係数は研究した全温度範囲でp型挙動を示した。それは,新しいフラットバンド領域のため,x=0.03で300Kで320.311μVK-1の最大値に達する。Tiドーピングはc-HfO_2の電子熱伝導率(k_e)を著しく減少させ,x=0.03で400Kで高性能指数(ZT_e)~0.82,x=0.12で1200Kで,これはc-HfO_2で報告された最高値である。また,c-HfO_2の光学的性質に及ぼすTiドーピングの影響を表す誘電定数および屈折率のような種々のパラメータを計算した。本研究は,熱電,オプトエレクトロニクスにおけるHf_1-xTi_xO_2の適用性を予測する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  光学的性質 ,  *電子 ,  熱伝導率 ,  誘電率 ,  *チタン ,  ドーピング ,  適応性 ,  オプトエレクトロニクス ,  *立方晶系
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  温度範囲 ,  第一原理計算 ,  光電子デバイス ,  フラットバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： c-HfO_2 ,  第一原理計算 ,  Beebeck係数 ,  熱伝導率 ,  誘電定数 ,  屈折率

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 立方晶 ,  電子 ,  光学 ,  研究 ,  パラメータ ,  強化 ,  試み