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J-GLOBAL ID：202202223725145572   整理番号：22A0463163

遷移金属ジカルコゲニドのJanus単分子層:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Janus Monolayers of Transition Metal Dichalcogenides: A DFT Study

著者 (3件)： Hernandez-Vazquez Miguel Angel (Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I. P. N., Unidad Queretaro, Libramiento Norponiente No. 2000, Fracc. Real de Juriquilla, Queretaro, Qro., CP 76230, Mexico) ,  de Luna Bugallo Andres (Centro de Fisica Aplicada y Tecnologia Avanzada, UNAM, AP 1-1010, Queretaro, Qro., CP 76000, Mexico) ,  Olguin Daniel (Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de Mexico, CP 07200, Mexico)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 259  号： 1  ページ： e2100248  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般化勾配近似内の全ポテンシャル線形化増強平面波法(FP-LAPW)のシーケンスと交換相関エネルギーに対するオンサイトハイブリッド汎関数を用いて計算研究を行い,MoXY(X,Y=S,Se,Te,YとY)配置とのJanus遷移金属ジカルコゲン化物単分子層の構造的および電子的特性を決定した。研究したJanus単分子層の計算した電子バンド構造は,Γ点の周りのRashba分裂とK_-とK_+点におけるZeemanスピン分裂を示した。これらの知見は,これらの材料が,軌道のような異なる応用を開発するための興味深い2Dシステムを表すことを示唆する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  平面波 ,  二次元 ,  相関エネルギー
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  スピン分裂 ,  電子バンド構造 ,  ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ab initio計算 ,  Janus単分子層 ,  Rashba効果 ,  Zeemanスピン分裂

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属 ,  単分子層 ,  DFT ,  研究