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J-GLOBAL ID：202202223791770656   整理番号：22A0945101

ポストアニーリング処理によるスパッタ酸化ハフニウムの相転移と非晶質Si-In-Zn-O薄膜トランジスタに及ぼすその影響【JST・京大機械翻訳】

Phase transformation of sputtered hafnium oxide by post annealing treatment and its effect on the amorphous Si-In-Zn-O thin film transistor

著者 (3件)： Kumar Akash (Electronic Engineering Department, Gachon University, Seongnam-Si 13110, Gyeonggi-Do, Republic of Korea) ,  Lee Ji Ye (Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro, Seongbuk-gu, 02841 Seoul, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yeol (Electronic Engineering Department, Gachon University, Seongnam-Si 13110, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 906  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタ酸化ハフニウム(HfO_2)の相変態と電気的性質に及ぼすポストアニーリング処理の影響を調べた。堆積したままのHfO_2膜を周囲条件で200と400°Cで焼鈍した。200°Cで焼なました膜は非晶質であるが,400°Cでのさらなるアニーリングは単斜晶構造に結晶化する。非晶質膜は単斜晶膜(≒5.65eV)よりも高いバンドギャップ(≧5.8eV)を示した。金属-絶縁体-金属素子の電気特性は,電圧に関して非線形キャパシタンスを明らかにした。堆積中に形成された酸素空孔関連欠陥により,堆積したままの膜では非線形性が支配的であった。しかし,過剰なHf-O結合形成は,より高い温度でアニーリングで生じ,容量-電圧曲線の非線形性を減少させた。堆積したままの200および400°Cの焼なまし膜の誘電率は,それぞれ22.35,22.64および20.57と見積もられた。200°Cでの誘電率の増加は,その非晶質相と欠陥の減少による。ゲート絶縁体として蒸着ままおよびアニールした酸化ハフニウムを用いて作製した非晶質Si-In-Zn-O薄膜トランジスタは,ほぼ類似の閾値電圧≒-1Vを示した。200°Cで焼なました酸化ハフニウムを有するトランジスタは,電流(1.04×10-6A)で最高を示し,その後,蒸着(6.82×10-7A)と400~°Cアニールデバイス(5.86×10-7A)が続いた。さらに,界面状態密度は,蒸着時と400°Cで,それぞれ,3.98×1012から1.11×1013cm-2へと単調に増加した。界面状態密度の増加はHfO_2の結晶化による粒界形成によるものである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  結晶粒界 ,  *焼なまし ,  *相転移 ,  電圧 ,  誘電率 ,  *薄膜トランジスタ ,  *非晶質 ,  静電容量 ,  *酸化ハフニウム ,  単斜晶系 ,  蒸着 ,  バンドギャップ ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高k誘電体 ,  HfO_2 ,  ポストアニーリング処理 ,  a-SIZO薄膜トランジスタ ,  静電容量-電圧測定

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ポストアニーリング ,  スパッタ ,  酸化ハフニウム ,  相転移 ,  非晶質Si ,  Zn ,  薄膜トランジスタ