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J-GLOBAL ID：202202223830677110   整理番号：22A1046247

単層WS_2のアームチェアナノリボンにおけるC-Hドーピングによる奇偶効果とバンドギャップ変調【JST・京大機械翻訳】

Odd-even effect and bandgap modulation by C-H doping in armchair nanoribbons of monolayer WS2

著者 (11件)： Guo Yan-Dong (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Guo Yan-Dong (College of Natural Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Guo Yan-Dong (Key Laboratory of Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, Nanjing 210023, China) ,  Min Xiang-Xiang (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Dai Chang-Jie (Department of Mathematics and Physics, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Lin Li-Yan (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Lin Li-Yan (College of Natural Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Jiang Yue (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Wang Hao-Nan (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Yan Xiao-Hong (College of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China) ,  Yan Xiao-Hong (College of Natural Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210046, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 347  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特異な電子特性を誘発するための単分子層構造における面外方向の対称性の破れが長い間予測された。単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)における炭素系ユニットのドーピングに関する最近の実験的進歩に触発されて,第一原理計算を用いて,1つの面におけるC-H単位によるアームチェアWS_2ナノリボンドーピングの電子構造と輸送を研究した。偶数のC-H単位でドープしたリボンは半導体挙動を示すが,偶数のものは金属である。リボン幅の増加とともに,バンドギャップは滑らかに減少し,最終的に半導体-金属転移を引き起こすことが分かった。さらに,バンドギャップの周期的振動変化を観測した。解析は,それがJanus面ドーピングによって誘発される非対称エッジ効果によってもたらされることを示した。著者らの知見はTMDの電子構造を調節する別の方法を提供し,他のTMD構造に拡張できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  半導体 ,  炭素 ,  単分子層 ,  非対称性 ,  *ドーピング ,  縁効果 ,  対称性の破れ ,  単一層 ,  偶数 ,  密度汎関数法 ,  *ナノ構造 ,  *バンドギャップ ,  金属-半導体転移
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 単層遷移金属ジカルコゲナイド ,  バンドギャップ工学 ,  奇偶効果 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  ナノリボン ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  変調