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J-GLOBAL ID:202202223966226510   整理番号:22A0394298

短波長赤外波長用のGe-on-Si単一光子アバランシェダイオード検出器【JST・京大機械翻訳】

Ge-on-Si single-photon avalanche diode detectors for short-wave infrared wavelengths
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 012001 (20pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5569A  ISSN: 2515-7647  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ゲルマニウム-オン-シリコン(Ge-on-Si)ベースの単一光子アバランシェダイオード(SPADs)は,最近,短波赤外(SWIR)光子の超高感度およびピコ秒分解能タイミング測定のための有望な検出器候補として浮上している。多くの応用は,長距離光検出や測距のようなSWIRスペクトル範囲での運転から恩恵を受けるが,波長<1μmで単一光子検出に一般的に使用される全シリコンSPADによって得られる高性能レベルを示す単一光子検出器はほとんどない。本論文は,最初にSWIR波長,現在の技術,および関連する問題における操作の利点を詳述し,この波長領域のための単一光子検出器技術としてのGe-on-Si SPADの可能性を記述した。そのようなデバイスの作動原理,製作,および特性評価プロセスを詳細に述べる。これらの単一光子検出器における研究をレビューし,最先端の性能を詳しく述べた。最後に,Ge-on-Si SPAD検出器によって提供される課題と将来の機会を論じた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光導電素子  ,  測光と光検出器一般 

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