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J-GLOBAL ID：202202223979854004   整理番号：22A0688170

pnp Siバイポーラ接合トランジスタの高速中性子照射によるターンオフ時間改善【JST・京大機械翻訳】

Turn-off time improvement by fast neutron irradiation on pnp Si Bipolar Junction Transistor

著者 (3件)： Ahn Sung Ho (HANARO Utilization Division, Korea Atomic Energy Research Institute, 111, Daedeok-daero 989 Beon-gil, Yuseong-gu, Daejeon, 34057, Republic of Korea) ,  Sun Gwang Min (HANARO Utilization Division, Korea Atomic Energy Research Institute, 111, Daedeok-daero 989 Beon-gil, Yuseong-gu, Daejeon, 34057, Republic of Korea) ,  Baek Hani (HANARO Utilization Division, Korea Atomic Energy Research Institute, 111, Daedeok-daero 989 Beon-gil, Yuseong-gu, Daejeon, 34057, Republic of Korea)
資料名： Nuclear Engineering and Technology  (Nuclear Engineering and Technology)
巻： 54  号： 2  ページ： 501-506  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0688B  ISSN： 1738-5733  CODEN： WJHKAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長いターンオフ時間はバイポーラ接合トランジスタ(BJTs)の高周波動作を制限する。ターンオフ時間はスイッチング過渡時の少数キャリアの再結合速度の増加と共に減少する。Si BJT上の高速中性子照射は,シリコン原子の変位により格子損傷を引き起こす。格子損傷は電子と注入された正孔の再結合速度を増加させ,pnpSi BJTの基底領域の正孔寿命を減少させる。MC-50サイクロトロンによる30MeV陽子のベリリウムターゲットから発生した高速中性子を,実験でpnpSi BJTsに照射した。実験結果は,貯蔵時間と落下時間を含むターンオフ時間が高速中性子フルエンスの増加とともに減少することを示した。さらに,高速中性子照射により,ベース電流が増加し,コレクタ電流とコレクタ電流増幅比が減少することを確認した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高速中性子 ,  サイクロトロン ,  スイッチング ,  正孔 ,  *中性子照射 ,  電流 ,  陽子 ,  ベリリウム ,  基底 ,  HF【周波数】 ,  *バイポーラトランジスタ ,  少数キャリア ,  中性子フルエンス
準シソーラス用語： ベース電流 ,  コレクタ電流 ,  スイッチング過渡現象 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ターンオフ時間 ,  高速中性子 ,  照射 ,  BJT ,  スイッチング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  バイポーラ接合トランジスタ ,  中性子照射 ,  ターンオフ時間