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J-GLOBAL ID：202202223999622155   整理番号：22A1175443

固定電荷を有する傾斜チャネルゲートスタック三重材料二重ゲート歪Si MOSFETのアナログ/RF性能【JST・京大機械翻訳】

Analog/RF Performance of Graded Channel Gate Stack Triple Material Double Gate Strained-Si MOSFET with Fixed Charges

著者 (2件)： Suddapalli Subba Rao (Department of ECE, NIT Warangal, Warangal, Telangana, India) ,  Nistala Bheema Rao (Department of ECE, NIT Warangal, Warangal, Telangana, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 6  ページ： 2741-2756  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固定電荷を有する傾斜チャネルゲートスタック三重材料二重ゲート(GCGS-TMDG)歪Silicon(s-Si)MOSFETのアナログ/RFパラメータの性能を,Sentaurus TCADシミュレータを用いて分析した。GCGS-TMDG s-Si MOSFETに対して,初期電圧,相互コンダクタンス発生因子(TGF),電圧利得,1利得周波数(f_t),利得周波数積(GFP),相互コンダクタンス周波数積(TFP),利得相互コンダクタンス周波数積(GTFP)のようなアナログ/RFパラメータを,種々のデバイスパラメータ(即ち,シリコンチャネルにおける歪,損傷長さを有する固定電荷密度,および種々の高k誘電体材料の厚さ)に対して推定した。シミュレーションデータは,提案したGCGS-TMDGs-Si MOSFETが,傾斜チャネルゲートスタック二重ゲート(GCGS-DG)s-Si MOSFETと比較して,ドレイン電流と出力コンダクタンスのより低い値を得ることを示す。さらに,GCGS-TMDG s-Si MOSFETは,強い反転領域におけるGCGS-DG s-Si MOSFETと比較して,初期電圧,f_t,GFP,TFP,およびGTFPの優れた性能を提供し,弱い反転領域における逆変換を示した。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  誘電体薄膜 ,  シミュレータ ,  *ケイ素 ,  *MOSFET ,  利得 ,  周波数 ,  絶縁膜 ,  相互コンダクタンス ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *固定電荷 ,  高k誘電体 ,  *二重ゲート ,  ドレイン電流 ,  電圧利得 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 初期電圧 ,  固定電荷 ,  量子力学効果 ,  ゲート容量 ,  単一電流利得周波数 ,  電圧利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 固定電荷 ,  チャネル ,  ゲートスタック ,  二重ゲート ,  歪 ,  Si ,  MOSFET ,  アナログ ,  RF