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J-GLOBAL ID：202202224342895610   整理番号：22A1052420

CuOドープSnO_2のグリーン合成調製と評価【JST・京大機械翻訳】

Green synthesis preparation and evaluation of CuO doped SnO₂

著者 (3件)： Nwanna Emeka Charles (Department of Mechanical Engineering Science, Faculty of Engineering and the Built Environment, University of Johannesburg, Auckland, 2006, Johannesburg, South Africa) ,  Imoisili Patrick Ehi (Department of Mechanical Engineering Science, Faculty of Engineering and the Built Environment, University of Johannesburg, Auckland, 2006, Johannesburg, South Africa) ,  Jen Tien-Chien (Department of Mechanical Engineering Science, Faculty of Engineering and the Built Environment, University of Johannesburg, Auckland, 2006, Johannesburg, South Africa)
資料名： Journal of Materials Research and Technology  (Journal of Materials Research and Technology)
巻： 17  ページ： 1901-1910  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3532A  ISSN： 2238-7854  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラキス(ジエチルアミノ)スズ(IV(TDMASn)((C_2H_5)_2N)_4Snは,原子層堆積(ALD)技術で使用される優れた純度を有する有機金属スズ前駆体である。ALD装置の高い費用のため,ナノ結晶酸化スズ(SnO_2)薄膜の製造に対するこの前駆体の使用は限られている。本研究では,酸化銅(CuO)ドープ酸化スズ(SnO_2)を,SnO_2前駆体としてTDMASn,Cu前駆体として硫酸銅(II)五水和物(CuSO_4・5H_2O),およびスピンコーティング法により還元剤としてグリーン触媒(Allium cepa)を用いて調製し,ガラス基板上に堆積させた。次に,堆積した薄膜をアニールし,X線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),元素組成(EDX),UV-可視(UV-Vis)分光法,Fourier変換赤外(FTIR),および電気分析を使用して特性化した。作製した薄膜の焼成温度に関する異なる分析間の相関を議論した。膜の光学エネルギーバンドギャップにおいて赤方偏移を観測した。また,膜の電気的性質は理想的な半導体挙動を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  薄膜 ,  半導体 ,  スズ ,  酸化スズ ,  硫酸銅 ,  有機金属化合物 ,  純度 ,  *ドーピング ,  還元剤 ,  前駆体 ,  バンドギャップ ,  FTIR分光法 ,  ナノ結晶

著者キーワード (6件)： ALD ,  薄膜 ,  スピンコーティング ,  Allium cepa ,  酸化銅 ,  酸化すず

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： CuO ,  ドープ ,  グリーン ,  調製 ,  評価