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J-GLOBAL ID：202202224772842005   整理番号：22A0992690

障壁調整可能な酸化ガリウムショットキーダイオード【JST・京大機械翻訳】

Barrier-tunable gallium oxide Schottky diode

著者 (6件)： Wang Haibo (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601;電子信息系統倣真与設計安徽省重点実験室,合肥 230601) ,  Wan Lijuan (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601;電子信息系統倣真与設計安徽省重点実験室,合肥 230601) ,  Fan Min (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601) ,  Yang Jin (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601;電子信息系統倣真与設計安徽省重点実験室,合肥 230601) ,  Lu Shibin (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601;電子信息系統倣真与設計安徽省重点実験室,合肥 230601) ,  Zhang Zhongxiang (合肥師范学院電子信息与電气工程系,合肥 230601;電子信息系統倣真与設計安徽省重点実験室,合肥 230601)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 71  号： 3  ページ： 292-298  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化ガリウムは新世代の広バンドギャップ材料であり、そのデバイスは優れた性能を持っている。本論文では、n+高濃度エピタキシャル薄層による酸化ガリウムSchottkyダイオードの障壁制御について研究した。シミュレーションの結果は,n型酸化ガリウムのエピタキシャル厚さが5nm,ドーピング濃度が2.6×1018cm3のとき,Schottkyダイオードの縦方向電流密度が496.88A/cm2,逆破壊電圧が182.30V,オン抵抗が0であることを示した。27mWcm2,品質因子は123.09MW/cm2であった。さらに,Schottkyダイオードの性能はn+エピタキシャル層の厚みと濃度に依存し,電流密度はn+エピタキシャル層の厚さと濃度の増大と共に増大することが分かった。解析により、n+エピ層の障壁に対する制御は鏡像力、直列抵抗及びトンネル効果の複合影響であり、その中の鏡像力と直列抵抗は障壁の低下作用が小さいが、高電場下でトンネル効果が顕著となり、熱放出電流が増大し、トンネル電流が大幅に向上することが分かった。従って,酸化ガリウムショットキーダイオードの性能をさらに向上させた。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  電気抵抗 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  薄膜 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  ドーピング ,  因子 ,  電流密度 ,  *酸化ガリウム ,  鏡像力 ,  バンドギャップ ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 品質因子 ,  直列抵抗 ,  トンネル電流 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 障壁 ,  酸化ガリウム ,  ショットキーダイオード