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J-GLOBAL ID：202202224827482602   整理番号：22A0637269

トポロジカル半金属候補Ta_3SiTe_6の異方性表面状態【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic surface state in a topological semimetal candidate Ta₃SiTe₆

著者 (7件)： Li Yunlong (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Ran Zhao (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Jiang Wenxiang (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Jing Qiang (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Hu Jiayuan (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Luo Weidong (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Qian Dong (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Shenyang National Laboratory for Materials Science, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 4  ページ： 041602-041602-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能角度分解光電子放出分光法を用いて,非対称性によって保護されたトポロジー半金属候補のTa_3SiTe_6の表面状態を研究した。光子エネルギー依存測定を通して,Fermi準位近くの表面状態を検出した。バンド分散を決定することにより,表面状態がトポロジー自明であることを見いだした。表面Brillouinゾーン中心付近で,表面バンドは線形状に分散し,Fermi準位以下で約0.2eVのバンド交差(ゼロエネルギーギャップ)点を形成する。Ta_3SiTe_6の長方形表面Brillouinゾーンでは,表面バンドは1軸に沿ってFermi準位のみを交差し,表面Brillouinゾーン境界近くの2つの穴状のFermiポケットを形成した。観測された表面状態はトポロジーではないが,その異方性Fermi表面トポグラフィーが将来の応用に対して潜在的に有用であることを提案した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Brillouin帯 ,  位相幾何学 ,  異方性 ,  光電子放出 ,  表面 ,  非対称性 ,  Fermi準位 ,  スペクトロスコピー ,  *半金属 ,  状態 ,  高分解能 ,  バンド交差
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  バンド分散 ,  光子エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジカル半金属 ,  異方性