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J-GLOBAL ID:202202224863478773   整理番号:22A0414788

斜め角でのマグネトロンスパッタリングにより蒸着したサブ化学量論薄膜のナノスケールにおける組成勾配:SiO_x薄膜に関する事例研究【JST・京大機械翻訳】

Compositional gradients at the nanoscale in substoichiometric thin films deposited by magnetron sputtering at oblique angles: A case study on SiOx thin films
著者 (11件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: e2100116  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1950A  ISSN: 1612-8850  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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斜角での反応性マグネトロンスパッタリング堆積によりナノ柱状SiO_x薄膜を成長させるときのナノスケールでの化学量論的変化の存在を実証した。その結果,SiO_0.5薄膜を成長させると,0.3<x<1.3の範囲の化学量論的変化が示された。これは,全てのナノカラムにおける化学量論のシフトを,Siターゲットに面する側のより低い値から,反対側でのより高い値まで得る,数値成長モデルからの結果と一致する。気体反応性とスパッタ種の異なる運動量分布は,ナノカラムの特定の側に後者を優先的に取り込む。斜角でのサブ化学量論薄膜の反応性マグネトロンスパッタリング堆積中のこの機構の一般的発生を議論した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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