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J-GLOBAL ID：202202224990494265   整理番号：22A0788468

複合SOI/PZTデバイスにおける誘電損失品質係数の新しい推定法【JST・京大機械翻訳】

Novel Estimation Method for Dielectric Loss Quality Factor in Composite SOI/PZT Devices

著者 (4件)： Kumar Vishnu (Center for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science,Bengaluru,560012) ,  Tiwari Sudhanshu (Purdue University,USA) ,  Joshi Shreeraj (Center for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science,Bengaluru,560012) ,  Chandorkar Saurabh Arun (Center for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science,Bengaluru,560012)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： MEMS  ページ： 754-757  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一面内(IPFM)および第一面外(OPFM)モード周波数に対するエネルギー損失の依存性を研究するために,SOI(絶縁体上のシリコン)上のチタン酸鉛(PZT)膜に基づくデバイス(カンチレバー)の低温(10K-300K)特性評価のデータおよび解析を提示した。カンチレバーは駆動され,容量性フィードスルーを最小化するために微分メカニズムを用いて感知される。圧電材料の誘電挙動は,膜(特に損失)の品質と基板との集積の間の変換に影響する。このような品質は品質因子によって明らかにできる。誘電損失に関連する品質因子を推定するために,共振周波数における誘電関数の温度依存実数部と虚数部の測定,微分駆動を用いたLDV測定,およびCOMSOLを用いたシミュレーションを組合せて,新しい方法を採用した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  低温 ,  *誘電損失 ,  片持梁 ,  圧電材料 ,  温度依存性 ,  微分 ,  チタン酸鉛 ,  誘電関数 ,  虚数 ,  共振周波数 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 品質因子 ,  *品質係数 ,  COMSOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  PZT ,  誘電損失 ,  品質係数 ,  推定法