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J-GLOBAL ID：202202225128132946   整理番号：22A1083208

a-Si:Hの電子輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic transport properties of a-Si:H

著者 (2件)： Li Haili (Graduate School of Engineering, Kyoto University Kyoto-daigaku-Katsura, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Matsumoto Mitsuhiro (Graduate School of Engineering, Kyoto University Kyoto-daigaku-Katsura, Kyoto 615-8540, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 12  号： 3  ページ： 035309-035309-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)の電子輸送特性を調べるために,一連の量子シミュレーションと電子輸送解析を行った。ターゲットシステムは,2つの金属電極間に挟まれた種々の水素濃度を有するa-Si:Hのナノスケール接合である。密度汎関数ベースの強束縛シミュレーションを実施し,電子構造を得て,非平衡Green関数法を採用して,バイアス場の下で電子透過係数と電流を評価した。水素原子は非晶質シリコンの欠陥の一部を不動態化するが,残りの欠陥はバンドギャップのエネルギー状態を実現することを確認した。シリコン原子のp軌道は主に電子透過に寄与する。輸送挙動は水素濃度によって大きく影響された。a-Si:Hと金属電極の間の界面もa-Si:H内部の空間電荷密度の変化を通して輸送挙動に影響する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Green関数 ,  界面 ,  シミュレーション ,  電流 ,  *輸送現象 ,  電極 ,  不動態化 ,  水素化 ,  近似法 ,  透過率 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  *輸送特性 ,  ナノスケール ,  金属電極 ,  非平衡Green関数 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  電子 ,  輸送特性