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J-GLOBAL ID：202202225175471983   整理番号：22A0986016

第一原理からのFeドープ[数式:原文を参照]における強誘電スイッチングによるスピン配向の操作【JST・京大機械翻訳】

Manipulation of spin orientation via ferroelectric switching in Fe-doped [Formula : see text] from first principles

著者 (11件)： Inzani Katherine (Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Inzani Katherine (Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Inzani Katherine (School of Chemistry, University of Nottingham, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Pokhrel Nabaraj (Department of Physics, University of California, Merced, California 95343, USA) ,  Leclerc Nima (Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Leclerc Nima (Department of Electrical and Systems Engineering, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA) ,  Clemens Zachary (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Merced, California 95343, USA) ,  Ramkumar Sriram P. (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Merced, California 95343, USA) ,  Griffin Sinead M. (Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Griffin Sinead M. (Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Nowadnick Elizabeth A. (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Merced, California 95343, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 5  ページ： 054434  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場によるスピンの原子スケール制御は将来の技術的応用にとって非常に望ましい。磁気的にドープしたAurivillius相酸化物は,希薄濃度で強誘電性構造に置換され,スピン-電荷結合をもたらす磁性イオンで,これを達成する一つの経路を示す。しかし,この材料クラスにおける強誘電スイッチング経路の最小探査があり,構造中の磁気スピンに対する電場の影響の予測を制限する。ここでは,Aurivillius相族,[数式:原文を参照]の末端メンバーの強誘電スイッチング経路を,グループ理論解析と密度汎関数理論計算の組み合わせを用いて決定する。基底状態[数式:原文を参照]相において,[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]中間体相を介した2段階スイッチング経路が最も低いエネルギー障壁を与えることを見出した。[数式:原文を参照]中のWサイト上の鉄置換を考慮して,スピン容易軸を決定した。強誘電スイッチング中のスピン方向性の変化を追跡することにより,分極方向における[数式:原文を参照]スイッチがスピン容易軸の[数式:原文を参照]再配向をもたらすことを見出した。磁気ドーパント上の[数式:原文を参照]と磁気弾性結合の低対称性結晶場環境は,印加電場によるスピン制御の経路を提供する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  対称性 ,  電荷 ,  電場 ,  *鉄 ,  酸化物 ,  強誘電性 ,  磁気 ,  *ドーピング ,  再配向 ,  磁性 ,  ドーパント ,  *スピン整列
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  *強誘電スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理 ,  Fe ,  ドープ ,  数式 ,  参照 ,  強誘電スイッチング ,  スピン配向