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J-GLOBAL ID：202202225203536279   整理番号：22A0156685

極性ZnO膜の構造と磁気特性に及ぼすSm注入の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of Sm implantation on the structure and magnetic properties of polar ZnO films

著者 (10件)： Li Q. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Yuan M.M. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang M.D. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Guo C.G. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Liao B. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Liao B. (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Zhang X. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang X. (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Ying M.J. (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Ying M.J. (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 894  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,サファイア基板上に分子線エピタキシー(MBE)により調製したZn極性およびO極性ZnO膜中にSmイオンを注入して得られた大きな強磁性を報告した。X線回折(XRD),Raman分光法,原子間力顕微鏡(AFM),X線光電子分光法(XPS)及び超伝導量子干渉素子(SQUID)測定を行い,Smドープ極性ZnO膜の構造,表面形態,元素化学状態及び磁気特性を特性化した。XRDとAFMは,Zn極性膜中のドープイオンが結晶粒界に位置し,一方,O極性膜中のドーピングイオンが粒子中に取り込まれることを示した。注入したままのO極性膜の磁気モーメントはZn極性膜より高かった。600°Cで30分間アニール後,O極性膜の飽和磁化の明らかな減少があり,一方,Zn極性膜の磁気モーメントはほとんど変化しなかった。RamanとXPSの結果は,O極性膜中の多数の結晶粒界が修復され,O空格子点(V_o)欠陥が減少することを示した。アニーリング後の極性ZnO膜の磁化は,注入によって導入されたV_o欠陥とSmイオンに関連する局所モーメントの複合効果に起因すると結論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  イオン ,  強磁性 ,  結晶粒界 ,  焼なまし ,  飽和磁化 ,  *亜鉛 ,  *サマリウム ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  局在磁気モーメント ,  MBE成長 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： サマリウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： イオン注入 ,  欠陥 ,  強磁性 ,  SmドープZnO ,  アニーリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極性 ,  ZnO ,  磁気特性 ,  Sm ,  注入