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J-GLOBAL ID：202202225251636259   整理番号：22A1083063

高可逆性亜鉛金属アノードのためのガルバニ置換人工界面層【JST・京大機械翻訳】

Galvanically replaced artificial interfacial layer for highly reversible zinc metal anodes

著者 (13件)： Xiong Peixun (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Kang Yingbo (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Yuan Haocheng (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Liu Qing (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Baek Sang Ha (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Park Jae Min (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Dou Qingyun (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Han Xiaotong (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Jang Woo-Sung (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Kwon Seok Joon (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Kim Young-Min (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Li Wenwu (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea) ,  Park Ho Seok (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea)
資料名： Applied Physics Reviews  (Applied Physics Reviews)
巻： 9  号： 1  ページ： 011401-011401-12  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3502A  ISSN： 1931-9401  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面修飾は,金属アノードの電気化学的環境を制御し,物理的に保護的な界面を提供するための直接的な戦略として考えられている。ここでは,高性能水性再充電亜鉛電池に用いるために,Sn,SbおよびBi層をZnアノード上に均一に成長させるガルバニ置換人工界面層を開発した。Zn金属の腐食とデンドライト形成は,電気化学的キャラクタリゼーションと死後,in situ光学,および計算分析によって検証されたように,均一なZn析出挙動と容易なめっき/ストリッピングを操作することによって阻害される。界面層の厚み,形態,および結晶性は,それらの化学的同一性に依存して変化することを考慮すると,Sn修飾Znアノード(Zn|Sn)は,その最も高いZn親和性と階層構造のために,最適な電気化学的性能を示す。その結果,Zn|Snアノードを有する対称セルは,1mAcm-2で2200hにわたって安定なめっき/ストリッピングを示し,4mAcm-2の高い電流密度で2000hの長いサイクル寿命を示した。特に,Zn|Snとβ-MnO_2とのペアリングによる完全電池は,5000mA g-1の高い電流速度,1000mA g-1での1000サイクル後の73%の容量保持,および低いN/P比(<50)と高いカソード質量負荷(約15.8mg cm-2)でのサイクル安定性の改善でさえ,92.8mA h g-1の高い容量を示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  性能 ,  対称性 ,  電池 ,  電流 ,  *亜鉛 ,  ビスマス ,  めっき ,  樹枝状結晶 ,  電気化学 ,  サイクル寿命 ,  *アノード
準シソーラス用語： *界面層 ,  電気化学的性能 ,  再充電 ,  *ガルバニ置換 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  二次電池  (YB04030K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 可逆性 ,  亜鉛 ,  アノード ,  ガルバニ置換 ,  人工 ,  界面層