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J-GLOBAL ID：202202225456497905   整理番号：22A1043129

フォトリソグラフィー支援化学機械エッチングを用いて作製したエルビウムドープ薄膜ニオブ酸リチウム上の高利得クラッド導波路増幅器【JST・京大機械翻訳】

A high-gain cladded waveguide amplifier on erbium doped thin-film lithium niobate fabricated using photolithography assisted chemo-mechanical etching

著者 (20件)： Liang Youting (State Key Laboratory of Precision Spectroscopy, East China Normal University, Shanghai 200062, China) ,  Liang Youting (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhou Junxia (State Key Laboratory of Precision Spectroscopy, East China Normal University, Shanghai 200062, China) ,  Zhou Junxia (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Liu Zhaoxiang (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhang Haisu (State Key Laboratory of Precision Spectroscopy, East China Normal University, Shanghai 200062, China) ,  Zhang Haisu (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Fang Zhiwei (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhou Yuan (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Yin Difeng (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Lin Jintian (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Yu Jianping (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Wu Rongbo (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Wang Min (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Cheng Ya (State Key Laboratory of Precision Spectroscopy, East China Normal University, Shanghai 200062, China) ,  Cheng Ya (The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Sciences, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Cheng Ya (State Key Laboratory of High Field Laser Physics and CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics (SIOM), Chinese Academy of Sciences (CAS), Shanghai 201800, China) ,  Cheng Ya (Shanghai Research Center for Quantum Sciences, Shanghai 201315, China) ,  Cheng Ya (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan 030006, China) ,  Cheng Ya (Collaborative Innovation Center of Light Manipulations and Applications, Shandong Normal University, Jinan 250358, China)
資料名： Nanophotonics (Web)  (Nanophotonics (Web))
巻： 11  号： 5  ページ： 1033-1040  発行年： 2022年 
JST資料番号： U8087A  ISSN： 2192-8614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エルビウムドープ集積導波路増幅器とレーザは,光波通信と大規模センシングを支えながら,バルク材料における対応物上の電力消費,フットプリント,安定性,およびスケーラビリティにおいて優勢である。ミクロからナノスケールへの高度に閉じ込められたモードと,そのような統合デバイスにおける中程度の伝搬損失,利得およびパワースケーリングは,それらのバルク対応物と比較して,より挑戦的であることを証明した。本研究では,酸化タンタル(Ta_2O_5)の薄いクラッド層を,フォトリソグラフィー支援化学-機械的エッチング(PLACE)法により,絶縁体(LNOI)ウエハ上に薄膜ニオブ酸リチウム上に作製したエルビウムドープニオブ酸リチウム(LN)導波路増幅器に用いた。約980nmのダイオードレーザで励起した10cm長のLNOI増幅器において,約1532nmの信号波長で20dBの小さい信号内部ネット利得を達成した。実験的キャラクタリゼーションは,空気クラッド増幅器と比較して,より高い光学利得におけるTa_2O_5クラッディングの利点を明らかにし,それは,導波モード構造を含むLNOI増幅器の理論的モデリングとエルビウムイオンの定常状態応答によってさらに説明される。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  *増幅器 ,  *薄膜 ,  半導体レーザ ,  電力消費 ,  波長 ,  モデリング ,  ウエハ【IC】 ,  通信 ,  *利得 ,  *ニオブ酸リチウム ,  導波モード ,  *導波路 ,  *フォトリソグラフィー
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 集積導波路増幅器 ,  ニオブ酸リチウムナノフォトニクス ,  フォトリソグラフィー支援化学機械エッチング

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (12件)： フォトリソグラフィー ,  支援 ,  エッチング ,  作製 ,  エルビウム ,  ドープ ,  薄膜 ,  ニオブ酸リチウム ,  高利得 ,  クラッド ,  導波路 ,  増幅器