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J-GLOBAL ID：202202225516766536   整理番号：22A1083069

有限サイズ効果による閉込め2D-Xeneナノリボンにおけるトポロジースイッチングの最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimizing topological switching in confined 2D-Xene nanoribbons via finite-size effects

著者 (6件)： Nadeem Muhammad (Institute for Superconducting and Electronic Materials (ISEM), Australian Institute for Innovative Materials (AIIM), University of Wollongong, Wollongong, New South Wales 2525, Australia) ,  Zhang Chao (School of Physics, University of Wollongong, Wollongong, New South Wales 2522, Australia) ,  Culcer Dimitrie (School of Physics, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Hamilton Alex R. (School of Physics, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Fuhrer Michael S. (School of Physics and Astronomy, Monash University, Clayton, Victoria 3800, Australia) ,  Wang Xiaolin (Institute for Superconducting and Electronic Materials (ISEM), Australian Institute for Innovative Materials (AIIM), University of Wollongong, Wollongong, New South Wales 2525, Australia)
資料名： Applied Physics Reviews  (Applied Physics Reviews)
巻： 9  号： 1  ページ： 011411-011411-14  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3502A  ISSN： 1931-9401  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジーエレクトロニクスのための青写真において,トポロジー絶縁体材料におけるエッジ状態輸送はゲート誘起トポロジー量子相転移を採用することによって制御できる。ここでは,電子特性の幅依存性を研究することにより,ジグザグ-Xeneナノリボンが,固有バンドトポロジーおよびゲート誘起トポロジースイッチングに対する有限サイズ効果に関連したユニークな物理的特性の表示を有するトポロジーエレクトロニクスのための有望な材料であると推測した。最初に,元の場合における固有バンドトポロジー駆動エネルギーゼロモードとの絡み込みにより,ジグザグ-Xeneナノリボンにおけるスピンフィルタリングキラルエッジ状態はギャップがなく,超狭帯域リボン,すなわち2D量子スピンHall材料は1Dトポロジー金属に回転する有限エッジ間重なりでさえ後方散乱に対して保護された。第2に,ゲート誘起エッジ間結合の幅と運動量依存同調性により,ギャップレスとギャップエッジ状態間のスイッチングに必要な閾値電圧は,幅が減少すると,基本的な下限なしに減少する。第3に,ジグザグ-Xeneナノリボンの幅が臨界限界より小さいとき,エッジ状態間のトポロジースイッチングを,バルクバンドギャップ閉鎖と再開口なしで達成することができた。これは主としてバルクバンドスペクトルに対する量子閉じ込め効果によるものであり,これは幅の減少に伴う非自明なバルクバンドギャップを増加させる。このような保護ギャップのないエッジ状態の存在およびバルクバンドギャップの増強に伴う閾値電圧の減少は,標準電界効果トランジスタ解析における閾値電圧を低減するための狭いギャップおよび広いチャネル材料を利用する一般的な w雑さを反転し,低電圧トポロジーデバイスへの道を開いた。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  *最適化 ,  FET【トランジスタ】 ,  スペクトル ,  後方散乱 ,  電子技術 ,  *二次元 ,  一次元 ,  *リボン結晶 ,  状態 ,  ゲート【半導体】 ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  量子閉込め ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  *ナノリボン ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有限サイズ効果 ,  閉込め ,  2D ,  ナノリボン ,  トポロジー ,  スイッチング ,  最適化