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J-GLOBAL ID：202202225550785040   整理番号：22A1160988

増強された界面吸着を有するGd挿入準自立単層グラフェン上の単層SnSe_2膜のエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Growth of Monolayer SnSe₂ Films on Gd-Intercalated Quasi-Free-Standing Monolayer Graphene with Enhanced Interface Adsorption

著者 (8件)： Zhang Yongheng (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Wang Can (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Wang Can (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Tian Qichao (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Meng Qinghao (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Zong Junyu (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Zhang Yi (National Laboratory of Solid State Microstructure, School of Physics, Nanjing University, China) ,  Zhang Yi (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 126  号： 12  ページ： 5751-5758  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Gdインターカレーションによって形成した準自立単層グラフェン(QFMLG)は,SiC(0001)基板上の規則的なエピタキシャル単層グラフェン(EMLG)と比較して,かなりの電子密度状態ホストを形成した。ここでは,重電子ドーピングによるGd挿入QFMLGは,EMLGよりも強い界面吸着エネルギーを示し,準単層SnSe_2膜の成長に有益であることを明らかにした。その場反射高エネルギー電子回折,走査トンネル顕微鏡およびX線光電子分光法を組み合わせて,Gd挿入QFMLG基板(SnSe_2/QFMLG)上に成長させた単層SnSe_2膜の形態および化学結合状態を系統的に調査した。SnSe_2/QFMLGは,より少ない二分子層島を有する準層状成長モードを示すことを見出した。対照的に,EMLG基板(SnSe_2/EMLG)上に成長したSnSe_2は,異なる厚さの混合物を有する島成長モードを示した。さらなる角度分解光電子分光測定により,Gd挿入QFMLG上の単分子層SnSe_2膜は,SnSe_2/QFMLG界面での顕著な電荷移動により,約1.47eVの間接バンドギャップを示すことを観測した。さらに,価電子帯最大に位置する正孔の有効質量を抽出した。著者らの結果は,単層SnSe_2のvan der Waals成長における厚さの制御と,2D半導体としての単層SnSe_2の基本的な物理的性質の理解における重要な情報を改善する効果的な方法を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *界面 ,  *吸着 ,  正孔 ,  電荷移動 ,  電子密度 ,  半導体 ,  *ガドリニウム ,  単分子層 ,  価電子バンド ,  二次元 ,  有効質量 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  インターカレーション
準シソーラス用語： *単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 増強 ,  界面 ,  吸着 ,  Gd ,  自立 ,  単層グラフェン ,  単層 ,  エピタキシャル成長