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J-GLOBAL ID：202202225584115665   整理番号：22A0324619

Hf改質NiAlの酸化中のHfのNiAl/Al_2O_3界面偏析の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study on the NiAl/Al₂O₃ interfacial segregation of Hf during the oxidation of Hf-modified NiAl

著者 (3件)： Wang Xinli (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Cai Canying (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China) ,  Zhou Guangwen (Department of Mechanical Engineering & Materials Science and Engineering Program, State University of New York, Binghamton, NY 13902, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミナ形成合金の耐酸化性の改善に及ぼす反応性元素ドーパントのよく知られた有益な効果にもかかわらず,酸化物/合金界面での反応性元素の移動と偏析,全体的酸化動力学と界面付着を制御する重要なゾーンを含む多くの未解決の疑問が残っている。ここでは,γ-Al_2O_3とθ-Al_2O_3によるハフニウムの界面動力学を支配する原子過程を明らかにし,Ni-Al合金の酸化中に安定なα-Al_2O_3に変換する前に2つの支配的な準安定相である。著者らの結果は,Al_2O_3被覆層中のAl空格子点がHf原子とHfO_2形成の界面偏析に影響するのに重要な役割を果たすことを示した。γ-Al_2O_3(001)/NiAl(100)界面に対して,γ-Al_2O_3中の界面Al空孔の存在はNiAl基板からのHf原子の界面偏析と凝集を駆動し,HfO_2の界面核形成をもたらした。対照的に,θ-Al_2O_3(100)/NiAl(100)界面に対して,界面Al空孔の存在は酸化物/合金界面を横切るNiAl基板からのHf原子の移動を酸化物格子に深くし,θ-Al_2O_3層のバルク中のHfO_2形成を促進した。これらの結果は,過渡的酸化物相の相および化学量論を制御することによって,反応性元素の界面輸送プロセスを操作するためのより広い応用性を見出すであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  核形成 ,  空格子点 ,  合金 ,  *酸化 ,  付着 ,  *偏析 ,  輸送現象 ,  *アルミニウム ,  *ハフニウム ,  アルミナ ,  耐酸化性 ,  準安定相 ,  化学量論 ,  ドーパント

著者キーワード (4件)： γ-Al_2O_3/NiAl界面 ,  θ-Al_2O_3/NiAl界面 ,  Hf拡散 ,  HfO_2

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： HF ,  改質 ,  酸化 ,  界面 ,  偏析 ,  第一原理 ,  研究