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J-GLOBAL ID:202202225612592676   整理番号:22A0967407

可視波長デバイス応用のためのII型ZnTe/ZnSe量子ドットの光学特性【JST・京大機械翻訳】

Optical characteristics of type-II ZnTe/ZnSe quantum dots for visible wavelength device applications
著者 (2件):
資料名:
巻: 80  号:ページ: 1-4  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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タイプIIZnTe/ZnSeピラミッド量子ドット(QD)の光学特性を,バンドオフセット,歪,キャッピング層厚さ,およびQD厚さのような構造パラメータの関数として理論的に研究した。歪によるバンド曲げ効果は,QDとキャッピング層領域で支配的に発生する。その結果,価電子帯波動関数は障壁の左側にシフトし,伝導バンド波動関数も左障壁側に位置した。遷移エネルギーはピラミッドベースの増加と共に赤方偏移し,これは主に原子価サブバンドエネルギーの減少によるものである。他方,伝導バンドにおけるサブバンドエネルギーはピラミッドベース長さにほとんど依存しないことが示され,タイプIIバンド構造の特徴を示した。また,遷移エネルギーはキャッピング層厚にほとんど依存しないことが分かった。Copyright The Korean Physical Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  半導体薄膜 

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