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J-GLOBAL ID：202202225657083561   整理番号：22A0836713

界面結合g-C_3N_4@PbSナローバンドギャップ半導体を充填した高分子複合材料の高誘電率と低誘電損失の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving a high dielectric constant and low dielectric loss of polymer composites filled with an interface-bonded g-C₃N₄@PbS narrow-bandgap semiconductor

著者 (10件)： Deng Qihuang (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Wang Jiangqiong (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Chen Peiyao (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Bo Maolin (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Lu Ya’na (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Pan Yuanfeng (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Liu Hong (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Duan Wanshan (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Xie Jimin (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China) ,  Feng Yefeng (Key Laboratory of Extraordinary Bond Engineering and Advance Materials Technology (EBEAM) of Chongqing, School of Materials Science and Engineering, Yangtze Normal University, No. 16, Juxian Avenue, Fuling District, Chongqing 408100, PR China)
資料名： Colloids and Surfaces. A. Physicochemical and Engineering Aspects  (Colloids and Surfaces. A. Physicochemical and Engineering Aspects)
巻： 640  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0539B  ISSN： 0927-7757  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマーへの散乱媒体バンドギャップ半導体は,複合材料の誘電率を著しく改善できない。ナノスケールセラミックは高い界面漏れ電流をもたらす。高い誘電率と低い損失を得るために,本研究では,黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)@PbS微粒子を,高分子系三元複合材料を作製するために調製した。ポリマー/PbS二元複合材料も製造した。電気的性質に関しては,三元複合材料は二元複合材料よりも多くの利点を示した。三元複合材料では,改善された誘電率はg-C_3N_4/PbS界面でのSN結合に起因した。誘電損失の減少は,高分子とPbSの間の還元界面漏れ電流(ハイブリッド充填剤の大サイズから)に根付いた。高磁場の下では,低下した破壊強度は,PbSおよびg-C_3N_4と比較して,ハイブリッド充填剤におけるバンドギャップの減少に起因した。本研究の革新は,g-C_3N_4@PbS充填剤におけるミクロサイズと界面SN接合間の高効率協調である。15wt%ハイブリッド充填剤を有する三元複合材料は,100Hz(低磁場)でε′′39の高い誘電率とε′′0.04の低い誘電損失を有し,また直流場の下ではΔλ>202MVm-1の高い絶縁破壊強度を有した。本研究は,エネルギー貯蔵において大きな有望性を有する高分子複合材料の製造を enlighten発する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  重合体 ,  セラミック ,  *半導体 ,  *誘電損失 ,  *誘電率 ,  グラファイト ,  *高分子 ,  媒質 ,  漏れ電流 ,  直流 ,  充填剤 ,  *硫化鉛 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 接着 ,  バンドギャップ ,  誘電体複合材料 ,  g-C_3N_4 ,  PbS

分類 (2件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  ナローバンドギャップ半導体 ,  高分子複合材料 ,  高誘電率 ,  低誘電 ,  損失