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J-GLOBAL ID：202202225768470450   整理番号：22A0947931

InSbドープFabry-Perot共振器による二重Fano共鳴の実現【JST・京大機械翻訳】

Realization of double Fano resonances with a InSb-doped Fabry-Perot cavity

著者 (3件)： Zhang Tao (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Zhang Dan (College of Information Science and Technology, Nanjing Forestry University, Nanjing 210037, China) ,  Zhang Hai-Feng (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 35  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1次元フォトニック構造を,外部磁場と温度によって調整できる二重Fano共鳴(DFaR)の実現のために提案する。設計したフォトニック構造は半導体材料インジウムアンチモン化物(InSb)と一連の一般的フォトニック結晶に基づくFabry-Perot共振器から成る。Fabry-Perot共振器により単一Fano共鳴(SFaR)を生成し,Fabry-Perot共振器の背面に加えた通常のフォトニック結晶は連続状態として連続透過スペクトルを提供した。DFaRの出現はSFaRと連続状態の間の干渉現象に起因する。Fano共鳴に及ぼす種々のパラメータの影響を,伝達マトリックス法によってシミュレートした。シミュレーション結果は,SFaRと連続体スペクトルとの相互作用が,より高い品質因子を有する新しいFano共鳴(NFaR)に導くことを示した。さらに,DFaRは,InSb材料の導入による透過率の振幅と周波数点に対する外部磁場と温度によって制御されるマルチフィジックス同調の機能を有する。DFaRの特性に基づき,これらの得られた結果は,マルチ測定光学フィルタ,レーザ,低速光デバイス,およびマルチノード光スイッチを設計するためのアイデアを提供できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 干渉 ,  *共振器 ,  シミュレーション ,  相互作用 ,  同調 ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  一次元 ,  *アンチモン化インジウム ,  光スイッチ ,  外部磁場 ,  *Fabry-Perot共振器 ,  *Fano共鳴 ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： 透過スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Fano共鳴 ,  Fabry-Perot共振器 ,  フォトニック結晶 ,  InSb ,  転送行列法

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： InSb ,  ドープ ,  Fabry-Perot共振器 ,  Fano共鳴