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J-GLOBAL ID：202202225773003758   整理番号：22A0986834

InAs/InGaAs選択領域成長ナノワイヤの移動度倍増【JST・京大機械翻訳】

Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

著者 (19件)： Beznasyuk Daria V. (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Marti-Sanchez Sara (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Campus UAB, Bellaterra, Barcelona, Catalonia, Spain) ,  Kang Jung-Hyun (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Tanta Rawa (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Rajpalke Mohana (Microsoft Quantum Materials Lab Copenhagen, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Stankevic Tomas (Microsoft Quantum Materials Lab Copenhagen, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Christensen Anna Wulff (Microsoft Quantum Materials Lab Copenhagen, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Spadaro Maria Chiara (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Campus UAB, Bellaterra, Barcelona, Catalonia, Spain) ,  Bergamaschini Roberto (L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano-Bicocca, I-20125 Milano, Italy) ,  Maka Nikhil N. (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Petersen Christian Emanuel N. (Department of Energy Conversion and Storage, Technical University of Denmark, Fysikvej, Building 310, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Carrad Damon J. (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Carrad Damon J. (Department of Energy Conversion and Storage, Technical University of Denmark, Fysikvej, Building 310, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Jespersen Thomas Sand (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Jespersen Thomas Sand (Department of Energy Conversion and Storage, Technical University of Denmark, Fysikvej, Building 310, 2800 Lyngby, Denmark) ,  Arbiol Jordi (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Campus UAB, Bellaterra, Barcelona, Catalonia, Spain) ,  Arbiol Jordi (ICREA, Passeig de Lluis Companys 23, 08010 Barcelona, Catalonia, Spain) ,  Krogstrup Peter (Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark) ,  Krogstrup Peter (Microsoft Quantum Materials Lab Copenhagen, 2800 Lyngby, Denmark)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： 034602  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤとネットワークの選択領域成長(SAG)は,III-V半導体材料に基づくスケーラブルエレクトロニクス,フォトニクス,および量子デバイスに対する経路を約束する。しかし,高移動度SAGナノワイヤの可能性は,界面粗さ,ナノワイヤ/基板界面での不整合転位,および材料相互混合による不均一組成により,未だ完全には実現されていない。ここでは,絶縁GaAs(001)基板上の高格子不整合InAsナノワイヤのSAGを調べ,これらの重要課題に取り組んだ。原子状水素(a-H)を用いて,天然酸化物除去のための従来の熱アニーリングに代わるものとして原子状に平滑なナノワイヤ/基板界面を達成した。InAs輸送チャネルとGaAs基板の間に導入された[数式:原文を参照]バッファ層により,高い格子不整合の問題に取り組んだ。バッファ層とチャネルの両方で観察されたGa-In材料相互混合は成長温度の注意深い調整により抑制された。低温輸送測定と共に走査型透過電子顕微鏡とX線回折分析を行い,最適化Inリッチバッファ層が,10000[数式:原文を参照]以上の電界効果電子移動度を有する高品質InAs輸送チャネルを促進することを示した。これは,非最適化試料の2倍であり,InAs選択領域成長ナノ構造で報告された最高値である。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  キャリア移動度 ,  最適化 ,  電場効果 ,  ネットワーク ,  酸化物 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  不整合転位 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バッファ層 ,  格子不整合 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： フォトニクス ,  電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  InGaAs ,  領域成長 ,  ナノワイヤ ,  移動度