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J-GLOBAL ID：202202225831858653   整理番号：22A0472678

酸化グラフェン修飾窒化ホウ素ナノシートによるデンドライトフリー亜鉛アノードを達成するための界面堆積速度論の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhance interfacial deposition kinetics to achieve dendrite-free zinc anodes by graphene oxide modified boron nitride nanosheets

著者 (5件)： Liu Hongqi (Key Laboratory of Eco-Textiles, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu, China) ,  Qiu Minghui (Key Laboratory of Eco-Textiles, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu, China) ,  Tang Chunxia (Key Laboratory of Eco-Textiles, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu, China) ,  Xu Jinlin (Key Laboratory of Eco-Textiles, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu, China) ,  Jia Hao (Key Laboratory of Eco-Textiles, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu, China)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 405  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水性亜鉛(Zn)イオンハイブリッドスーパーキャパシタ(ZIHC)は,環境友好性の長所とZnアノードの低い酸化還元電位のために,大規模なエネルギー貯蔵用途のための大きな可能性を示す。しかし,元のZnアノードは,デンドライト形成と副反応に起因する電気化学的性能の欠陥に悩ました。本研究では,酸化グラフェン修飾窒化ホウ素(GOBN)ナノシートの人工界面を合理的に設計し,Znイオン透過速度を制御し,電解質との副反応を制約するために利用した。結果は,確立された中間層がサイクル中のZnデンドライト成長を効果的に抑制し,GOBNの高い機械的強度とナノシート形成階層構造から利益を得ることを実証した。GOBN@Zn対称セルは,約50mVの低いメッキ/ストリッピング過電圧で1mAh・cm-2下,1000時間の長時間作動寿命を可能にした。従って,GOBN中間層を確立する戦略は,高速速度論と共に効果的な保護を提供することにより,超長サイクル寿命を有するZnアノードを与える。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  対称性 ,  *亜鉛 ,  めっき ,  過電圧 ,  酸化還元電位 ,  *樹枝状結晶 ,  電解質 ,  *窒化ホウ素 ,  機械的強度 ,  サイクル寿命 ,  *アノード ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 亜鉛イオン ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Zn金属電極 ,  窒化ホウ素ナノシート ,  酸化グラフェン ,  階層的チャネル構造

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (10件)： 酸化グラフェン ,  修飾 ,  窒化ホウ素 ,  ナノシート ,  デンドライト ,  亜鉛 ,  アノード ,  界面 ,  堆積速度 ,  増強