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J-GLOBAL ID：202202226108490408   整理番号：22A0803358

多層WSe_2上のAu電極のSchottky障壁高さと接触抵抗の定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantification of Schottky barrier height and contact resistance of a Au electrode on multilayer WSe₂

著者 (2件)： Jung Dae Hyun (Department of Electrical Engineering and Smart Grid Research Center, Jeonbuk National University, Jeonju, South Korea) ,  Kim TaeWan (Department of Electrical Engineering and Smart Grid Research Center, Jeonbuk National University, Jeonju, South Korea)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 80  号： 4  ページ： 307-310  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)素子性能は,p型TMD-金属-電極界面でのSchottky接触の接触抵抗によって著しく影響を受ける。Au電極を有する化学蒸着成長多層WSe_2膜ベース電界効果トランジスタの接触抵抗とSchottky障壁高さ(SBH)を調べた。実験的に測定したおよび計算したSBHを温度依存電流-電圧測定および熱電子放出モデルから決定した。移動長さ法を用いてWSe_2とAu電極間の接触抵抗を調べた。負の[数式:原文を参照]に対して56meV,正の[数式:原文を参照]に対して55.7meVのSBH値および12kΩμmの接触抵抗を見出した。多層WSe_2に基づくイオン-ゲルゲート電界効果トランジスタは,移動度と[数式:原文を参照]cm2/Vsと103のオン/オフ比を有する両極性挙動を示した。Copyright The Korean Physical Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  移動度 ,  界面 ,  接触 ,  *接触抵抗 ,  電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  温度依存性 ,  熱電子放出 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  多層 ,  電圧測定 ,  *金電極
準シソーラス用語： 剪断波速度 ,  電極界面 ,  *Schottky障壁高さ ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  電界効果トランジスタ ,  二セレン化タングステン ,  Schottky障壁高さ ,  接触抵抗

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  Au電極 ,  Schottky障壁高さ ,  接触抵抗 ,  定量化