文献

J-GLOBAL ID：202202226150969296   整理番号：22A0685202

表面プラズモン共鳴二層グラフェン/Al_2O_3/GaAs Schottky接合近赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Surface plasmon resonance bilayer graphene /Al₂O₃/GaAs Schottky junction near-infrared photodetector

著者 (2件)： Zhao Yangyang (School of Electronic and Information Engineering, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215006, China) ,  Chen Jun (School of Electronic and Information Engineering, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215006, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 900  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二層グラフェン(BLG)/GaAs Schottky接合近赤外(NIR)光検出器を研究した。暗電流をBLGとGaAsの間にAl_2O_3不動態化層を挿入して電子トンネリングを防止することにより抑制した。さらに,Agナノ粒子(NP)の層をBLGの表面にスピンコートし,局所電場を増強し,BLG中のキャリアの励起と輸送を促進し,それによってデバイスの光電流を増加させた。界面不動態化とプラズマ効果の組合せはBLG/GaAs Schottky接合NIR光検出器の性能を大きく改善した。808nm入射光の下で,光検出器の応答性は120mA/Wであり,それは従来のグラフェン/GaAs光検出器より20倍高く,デバイスの検出率は,8.16μs/98.43μsの高速応答/回復時間で3.43×1011cmHz1/2W-1に達することができる。この高性能BLG/GaAs Schottky接合は,光検出と太陽電池分野で広く使用できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光電流 ,  プラズマ ,  太陽電池 ,  電場 ,  *光検出器 ,  不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  キャリア ,  暗電流 ,  *近赤外線 ,  *光検出 ,  スピンコーティング ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  局所電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  GaAs ,  光検出器 ,  AgNP ,  Al_2O_3

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面プラズモン共鳴 ,  二層グラフェン ,  GaAs ,  Schottky接合 ,  近赤外光 ,  検出器