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J-GLOBAL ID：202202226190551385   整理番号：22A1120515

フレキシブル不揮発性メモリにおける短絡制御のためのP(VDF-TrFE)薄膜のプロセス【JST・京大機械翻訳】

How to process P(VDF-TrFE) thin films for controlling short circuits in flexible non-volatile memories

著者 (5件)： Zhang Yanguang (Advanced Electronics and Photonics Research Centre, National Research Council Canada, 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario, K1A0R6, Canada) ,  Aich Badrou Reda (Advanced Electronics and Photonics Research Centre, National Research Council Canada, 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario, K1A0R6, Canada) ,  Chang Shoude (Advanced Electronics and Photonics Research Centre, National Research Council Canada, 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario, K1A0R6, Canada) ,  Lochhead Kate (Advanced Electronics and Photonics Research Centre, National Research Council Canada, 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario, K1A0R6, Canada) ,  Tao Ye (Advanced Electronics and Photonics Research Centre, National Research Council Canada, 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario, K1A0R6, Canada)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 105  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厳しい電気的短絡は,低い動作電圧を有するフレキシブル非揮発性強誘電体メモリの開発にとって最大の課題の1つである。本研究では,共重合体ポリ(ビニリデンフルオリド-トリフルオロエチレン)[P(VDF-TrFE)]に基づくフレキシブル強誘電体キャパシタの短絡回路を明示的に調べた。P(VDF-TrFE)膜の加工条件には電気的短絡条件に及ぼす大きい影響があることがわかった。乾燥温度,溶媒蒸発速度,および溶液濃度などの決定要因,および乾燥後熱処理のような妥当な因子を明確に同定した。これらの決定因子は,P(VDF-TrFE)薄膜における膜多孔性,表面粗さおよび欠陥条件を変えることによって,短絡回路に影響を及ぼすことが分かった。これらの因子の膜多孔性との詳細な相関を確立し,液-液相分離の枠組みの中で説明した。表面粗さと欠陥条件との相関をMarangoni対流で説明した。電気的短絡条件に及ぼすこれらの因子の正味効果は,膜多孔性に関する好ましい因子が表面粗さおよび/または欠陥に関して有害であるかもしれないので,むしろ複雑である。従って,これらの因子は,短回路を制御するために注意深く調整され,P(VDF-TrFE)薄膜メモリデバイスで高収率を発生させる必要がある。比較研究は,開放空気中の80°Cでの乾燥がPGMEA溶液からP(VDF-TrFE)薄膜を処理するための最適条件であることを示した。この最適乾燥条件下で,約200μm×200μmの大面積デバイスから,約200nmの薄いP(VDF-TrFE)膜で,プラスチック基板上にロール-2-ロール互換法で処理した約200nmの収率で,76%の収率を達成した。低動作電圧だが高収率の強誘電体キャパシタ用のP(VDF-TrFE)層を製造する効果的な二段階アプローチを示した。強誘電体キャパシタに関する本研究から得られた重要な情報は,他のタイプの強誘電体メモリ,すなわち強誘電体電界効果トランジスタに一般化できる。従って,柔軟な不揮発性メモリのためにP(VDF-TrFE)薄膜を処理することによって,短回路を制御する方法に関する一般的ガイドラインを研究者と技術者に提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  強誘電体 ,  *薄膜 ,  相分離 ,  加工条件 ,  後熱処理 ,  表面粗さ ,  *不揮発性メモリ ,  非揮発性 ,  Marangoni対流 ,  FeRAM
準シソーラス用語： 強誘電体コンデンサ ,  溶媒蒸発 ,  乾燥温度 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： P(VDF-TrFE) ,  ポリ(ビニリデンフルオリド-トリフルオロエチレン) ,  不揮発性メモリ ,  強誘電体メモリ ,  強誘電体キャパシタ ,  フレキシブルメモリ ,  強誘電体ランダムアクセスメモリ ,  短絡回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性メモリ ,  短絡 ,  VDF-TrFE ,  薄膜 ,  プロセス