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J-GLOBAL ID：202202226192620618   整理番号：22A0796129

WSe_2二重横方向ホモ接合プラットホームからの多重負性微分相互コンダクタンスの出現【JST・京大機械翻訳】

Emergence of multiple negative differential transconductance from a WSe₂ double lateral homojunction platform

著者 (8件)： Son Hyeonje (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Lee Juho (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, South Korea) ,  Kim Tae Hyung (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, South Korea) ,  Choi Seunghuck (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Choi Haeju (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Kim Yong-Hoon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, South Korea) ,  Lee Sungjoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Lee Sungjoo (Department of Nano Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)van der Waalsヘテロ構造の最近の進歩は,ディジタル駆動超接続時代を来る潜在的成分として,非線形の負の微分キャリア輸送トランジスタの研究を再追求した。種々の2Dヘテロ接合を用いた注目すべき知見は最近実証されているが,性能メトリックは実際のデバイス応用の要求を満たすには不十分であり,デバイス製作における多重垂直積層プロセスに関連した基本的困難を解決しなければならない。ここでは,単一p-i-nWSe_2二重横方向ホモ接合(DLHJ)トランジスタから得られた多重負微分相互コンダクタンス(NDT)と抵抗(NDR)特性の実現について報告する。均一な二層WSe_2膜の選択的表面電荷移動ドーピングを通してDLHJを成形するために,個々の接合成分から期待されるものをexcelし,高いピーク対谷電流比(PVCRs)が36.6と12.9の2つのNDT特性を達成した。実験キャラクタリゼーションと第一原理計算を組み合わせて,室温での例外的なNDT性能を求め,ゲート制御に対する応答におけるトラップ支援トンネリングと非線形2Dバンドシフトの変調に由来すると決定した。さらに,137の最大PVCRを有する三重NDRに基づく四元論理演算を,WSe_2DLHJデバイスの相関バイアスによって達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  電荷移動 ,  電流 ,  トランジスタ ,  トンネル効果 ,  *微分 ,  ドーピング ,  *多重化 ,  論理演算 ,  二次元 ,  *相互コンダクタンス
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ヘテロ構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二次元van-der-Wals層状材料 ,  多値論理デバイス ,  負性微分コンダクタンス ,  二重横方向ホモ接合 ,  トラップ支援トンネリング ,  非平衡第一原理計算

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  ホモ接合 ,  プラットホーム ,  多重 ,  微分 ,  相互コンダクタンス