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J-GLOBAL ID：202202226264408855   整理番号：22A0832102

GeC/MoS_2ヘテロ構造の調整可能な電子特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Tunable electronic properties of the GeC/MoS₂ heterostructures: A first-principles study

著者 (6件)： Meng Dongping (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, PR China) ,  Li Xiaodan (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, PR China) ,  Liu Shu (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, PR China) ,  Zhang Haoyang (School of Mechanical Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, PR China) ,  Ruan Shihao (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, PR China) ,  Hu Taotao (School of Physics, Northeast Normal University, Changchun, 130024, PR China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 345  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理計算を行い,GeC/MoS_2ヘテロ構造(超格子,ヘテロ二層およびヘテロ三層を含む)の構造的および電子的特性を調べた。ここで考察した全ての6つのGeC/MoS_2超格子系の中で,AB積層モデル(Ge原子はMo原子上に整列し,全てのSとC原子は六方晶環の中心上にある)が最も安定な構造である。AB積層GeC/MoS_2ヘテロ二層系は,0.73eV(GGA-PBE)の固有直接バンドギャップと1.18eV(HSE06)を有するタイプIIバンド配列を有し,光生成電子-正孔対を効果的に分離できた。その結果,バンドギャップは面内2軸圧縮/延伸(-3%から3%の範囲)の適用により効果的に変調され,一方,タイプIIバンド配列を維持した。さらに,ヘテロ構造の原子層内のvan der Waals相互作用の影響により,制御可能なバンドギャップも,三層MoS_2/GeC/MoS_2とGeC/MoS_2/GeCで実現できた。このバンド構造の制御は,GeC/MoS_2ヘテロ構造の将来の原子スケール電子デバイスにおけるスイッチング機能への応用の可能性を示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  光生成 ,  *モリブデン ,  van der Waals力 ,  六方晶系 ,  密度汎関数法 ,  電子正孔対 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  電子素子 ,  第一原理計算 ,  原子スケール ,  原子層 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GeC/MoS_2ヘテロ構造 ,  超格子 ,  二軸歪 ,  ヘテロ二重層

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  電子 ,  第一原理 ,  研究