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J-GLOBAL ID：202202226459693179   整理番号：22A1047500

窒化ガリウム系青色LEDに及ぼす中性子照射効果【JST・京大機械翻訳】

Neutron irradiation effects on gallium nitride-based blue LEDs

著者 (4件)： Qiu Jie (SJTU Paris Elite Institute of Technology, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Hu Xunxiang (College of Physics, Sichuan University, Chengdu, China) ,  Li Congyi (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Chen Liang (SJTU Paris Elite Institute of Technology, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 518  ページ： 37-40  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)は,外部宇宙環境における放射線硬化エレクトロニクスのための有望な材料である。本研究では,市販のGaN量子井戸発光ダイオード(LED)を用いたGaNデバイスの放射線硬度評価に焦点を当てた。GaN LEDの電気的および光学的特性を中性子照射前後で特性化した。発光強度は,室温のOhio州立大学研究炉(OSURR)における中性子照射の1014n/cm2後に著しく増加することを見出した。照射後のI-V曲線からの抽出値も,中性子照射の1014n/cm2後のGaN LEDのこのような光学的改善を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  光学的性質 ,  *中性子照射 ,  宇宙環境 ,  放射線 ,  放射線架橋 ,  電子技術 ,  *窒化ガリウム ,  硬度 ,  キャラクタリゼーション ,  量子井戸
準シソーラス用語： 発光強度 ,  *青色LED , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaN発光ダイオード(LED) ,  中性子照射 ,  発光強度

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ガリウム ,  青色LED ,  中性子 ,  照射効果