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J-GLOBAL ID：202202226687096839   整理番号：22A0725363

ペロブスカイト半導体における原子的に分解した電気的活性粒内界面【JST・京大機械翻訳】

Atomically Resolved Electrically Active Intragrain Interfaces in Perovskite Semiconductors

著者 (18件)： Cai Songhua (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, SAR, People’s Republic of China) ,  Dai Jun (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Shao Zhipeng (Qingdao Institute of Bioenergy & Bioprocess Technology, Chinese Academy of Sciences, Shandong, People’s Republic of China) ,  Rothmann Mathias Uller (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, United Kingdom) ,  Jia Yinglu (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Gao Caiyun (Qingdao Institute of Bioenergy & Bioprocess Technology, Chinese Academy of Sciences, Shandong, People’s Republic of China) ,  Hao Mingwei (Department of Physics, Hong Kong Baptist University, SAR, People’s Republic of China) ,  Pang Shuping (Qingdao Institute of Bioenergy & Bioprocess Technology, Chinese Academy of Sciences, Shandong, People’s Republic of China) ,  Wang Peng (College of Engineering and Applied Sciences and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, People’s Republic of China) ,  Wang Peng (Department of Physics, University of Warwick, United Kingdom) ,  Lau Shu Ping (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, SAR, People’s Republic of China) ,  Zhu Kai (Chemistry and Nanoscience Center, National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Berry Joseph J. (Material Science Center, National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Berry Joseph J. (Renewable and Sustainable Energy Institute and the Department of Physics, University of Colorado Boulder, Colorado, United States) ,  Herz Laura M. (Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, United Kingdom) ,  Zeng Xiao Cheng (Department of Chemistry, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Zhou Yuanyuan (Department of Physics, Hong Kong Baptist University, SAR, People’s Republic of China) ,  Zhou Yuanyuan (Smart Society Laboratory, Hong Kong Baptist University, SAR, China)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 144  号： 4  ページ： 1910-1920  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面の原子と電子構造の解読は最先端のペロブスカイト半導体の開発に重要である。しかし,従来のキャラクタリゼーション技術は,主に粒界界面に対する以前の研究が限られているが,結晶粒内界面微細構造とそれらの電子特性は,あまり明らかにされていない。ここでは,走査型透過電子顕微鏡を用いて,3つの原型粒間界面に関する原子スケールの構造情報を解決し,スタンドアロン膜またはナノ材料試料に基づく以前の観察とは明らかに異なる興味深い特徴を明らかにした。これらの結晶粒内界面は不均一イオン分布により形成された組成境界を含み,積層欠陥は誤った積層結晶面と対称双晶境界に起因した。これらの結晶粒内界面の原子スケールイメージングは,電子特性のab initio計算のための明確なモデルの構築を可能にする。これらの結果は,これらの構造界面は一般に電子的に良性であるが,点欠陥とのそれらの動的相互作用は有害な効果を引き起こすことを示唆する。本研究は,金属ハライドペロブスカイトにおける微視的構造-特性-性能関係のより完全な基本的理解に向けた道を開いた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  結晶粒界 ,  *原子 ,  対称性 ,  点欠陥 ,  電子 ,  電子構造 ,  *半導体 ,  双晶境界 ,  長さ ,  画像処理 ,  結晶粒 ,  動的相互作用 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  原子スケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト ,  原子 ,  分解 ,  電気的活性 ,  界面