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J-GLOBAL ID:202202226698014530   整理番号:22A0553475

大きな垂直磁気異方性を持つL_1_0-FePtおよびTa/FePt膜におけるスピンボーイング軌道トルクによる磁化スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Magnetization Switching by Spin-Orbit Torque in L10-FePt and Ta/FePt Films With Large Perpendicular Magnetic Anisotropy
著者 (9件):
資料名:
巻: 58  号:ページ: ROMBUNNO.4100204.1-4  発行年: 2022年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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L1_0-FePt単層とTa/FePt二層薄膜における電流誘起垂直磁化スイッチングを調べた。ここでは,L1_0-FePt(6nm)単層膜およびTa(1≦550nm)/FePt(6nm)二層膜を700°CでMgO基板上に堆積し,FePtに対して7.5kOeの面外保磁力およびTa/FePt二分子層に対して約5kOeの面外保磁力を有する良好な垂直異方性を示した。電流誘起部分磁化ベーススイッチングは,全ての膜において約3%のスピン作動軌道トルク(SOT)スイッチング比によって実現した。Taキャッピング層を添加すると,臨界電流密度は減少し,スイッチングループの安定性は単一FePt層に比べて比較的良好であった。さらに,高調波Hall電圧結果は,FePt単層のSOT効率(β_DL)が約50Oe/(107Acm-2)であり,Ta/FePt二分子層のそれよりも著しく高く,これは以前に報告されている従来のTa/CoFeB/MgO構造のものより数倍高いことを示した。さらに重要なことに,Ta/FePt二層構造は,非常に良好なメムリスタスイッチング挙動を示し,これは,将来,ニューラルネットワークのスピンシナプスに適用されることが期待される。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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磁性材料  ,  電子・磁気・光学記録 
タイトルに関連する用語 (5件):
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