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J-GLOBAL ID：202202226746970361   整理番号：22A0707028

SrTiO_3の相乗的ドーピングにおける光励起電荷キャリア捕獲と欠陥形成のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Probing Photoexcited Charge Carrier Trapping and Defect Formation in Synergistic Doping of SrTiO₃

著者 (5件)： Koshi Namitha Anna (Indo-Korea Science and Technology Center (IKST), India) ,  Murthy Dharmapura H. K. (Materials Science and Catalysis Division, Poornaprajna Institute of Scientific Research, India) ,  Chakraborty Sudip (Materials Theory for Energy Scavenging (MATES) Lab, Harish-Chandra Research Institute(HRI) Allahabad, HBNI, India) ,  Lee Seung-Cheol (Electronic Materials Research Center, KIST, South Korea) ,  Bhattacharjee Satadeep (Indo-Korea Science and Technology Center (IKST), India)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 5  号： 1  ページ： 1159-1168  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)は,酸素発生反応および水素発生反応に対応する酸化および還元電位に関して,そのユニークなバンド端配列により有望な光触媒として広く用いられている。しかし,この材料における光触媒活性のさらなる増強は,酸素空孔状態の効果的な制御を通して想定できた。これは,欠陥形成エネルギーに対応するSrTiO_3中の元素官能化の影響下で光励起電荷キャリアトラッピングを実質的に調整することができた。SrTiO_3における電荷捕獲状態は,相対酸素空孔に関してアルミニウム(Al)のようなp-ブロック元素を有するTiサイトにおける置換ドーピングを通して減少する。密度汎関数理論(DFT)形式に基づく電子構造計算の助けにより,欠陥形成エネルギー,バンド端配列,および対応する電荷キャリア再結合確率の観点から,SrTiO_3中のAlとイリジウム(Ir)の両方によるドーピングの相乗効果を調べ,主に光触媒水分解過程を支配する光励起電荷キャリアトラッピングをプローブした。また,電荷担体再結合を支配し,従って対応する光触媒効率を支配する,酸素欠損SrTiO_3中のFermiと伝導バンド間に存在するアクセプタ準位の位置に対するIr:Al官能化の比効果を系統的に調べた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電荷 ,  *光ポンピング ,  アルミニウム ,  触媒活性 ,  *キャリア ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  チタン酸ストロンチウム ,  *捕獲 ,  密度汎関数法 ,  官能化 ,  光触媒 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： トラッピング ,  光触媒活性 ,  酸素空格子点 ,  *電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 密度汎関数理論 ,  酸化物ペロブスカイト ,  チタン酸ストロンチウム ,  遷移金属ドーピング ,  酸素発生反応 ,  過電圧

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  光励起 ,  電荷 ,  キャリア捕獲 ,  欠陥形成