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J-GLOBAL ID:202202226763154452   整理番号:22A0156063

発光ダイオードモデリングのためのGa_(1-x)In_xN合金のバンドギャップ湾曲とスペクトル幅【JST・京大機械翻訳】

Band gap bowing and spectral width of Ga(1-x)InxN alloys for modelling light emitting diodes
著者 (4件):
資料名:
巻: 625  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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発光ダイオードを生産するために広く用いられているGa_(1-x)In_xN合金は,濃度xの関数としてバンドギャップの湾曲を示し,1.8kTの期待値とは異なるルミネセンススペクトル幅を示した。第一原理計算により,メタGGA交換相関汎関数による多体摂動理論と密度汎関数理論に基づいて,16原子を有するGa_(1-x)In_xNスーパーセルの網羅的集合において,これらの効果を共同で探索した。局所原子配置と局所緩和による平均体積変化による湾曲を解きほぐ。最初のものは,濃度に関する体積の変化がほぼ線形(Vegard則)であるという事実にもかかわらず,湾曲の約40%を占める。計算した湾曲パラメータは1.39eVである。3kTと8kTの間の実験的広がりは,これまで理論的には調べられていないが,局所原子配置変化と価電子帯のトップの縮退のリフティングによってよく説明される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体結晶の電子構造 

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