文献

J-GLOBAL ID：202202227061432005   整理番号：22A1113422

固有反強磁性トポロジカル絶縁体のエピタキシャル薄膜の統計的モデリング【JST・京大機械翻訳】

Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator

著者 (9件)： Penacchio Rafaela F.S. (Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Paulo 05508-090, SP, Brazil) ,  Fornari Celso I. (Experimentelle Physik VII and Wuerzburg Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Camillo Yori G. (Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Paulo 05508-090, SP, Brazil) ,  Kagerer Philipp (Experimentelle Physik VII and Wuerzburg Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Buchberger Sebastian (Experimentelle Physik VII and Wuerzburg Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Kamp Martin (Physikalisches Institut and Rontgen-Center for Complex Material Systems (RCCM), Fakultaetfuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Bentmann Hendrik (Experimentelle Physik VII and Wuerzburg Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Reinert Friedrich (Experimentelle Physik VII and Wuerzburg Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Fakultaet fuer Physik und Astronomie, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, Wuerzburg, D-97074, Germany) ,  Morelhao Sergio L. (Institute of Physics, University of Sao Paulo, Sao Paulo 05508-090, SP, Brazil)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 750  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料の合成は,各システムの特殊性に適した構造解析ツールを必要とする。Van der Waals(vdW)材料は,スピントロニクスと量子情報処理の新たな技術の基本である。特に,トポロジー絶縁体およびより最近では,非自明な電子バンドトポロジーと磁性の組合せの現象学的探査を可能にする材料である。原子層間の弱いvdW力は,二成分化合物Bi_2Te_3のような典型的なトポロジー絶縁体でも制御が困難な組成ゆらぎと構造不規則性を生じさせる。MnBi_2Te_4として第三元素を添加すると,これらの材料のエピタクシーがさらにカオス的になった。本研究では,Mn_xBi_2Te3+x膜構造の統計的モデリングについて述べた。不規則MnBi_2Te_4/Bi_2Te_3ヘテロ構造におけるX線回折のシミュレーションを可能にし,固有磁気特性を有するトポロジー絶縁体のエピタキシャル成長を制御するために必要なステップである。これの上に,ここで用いた回折シミュレーション法は,異なる要素のvdW結合層の積層に基づく材料設計の分野での一般的なツールとして容易に適用できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  回折 ,  シミュレーション ,  *薄膜 ,  *反強磁性 ,  ゆらぎ ,  膜構造 ,  *磁性 ,  カオス ,  スピントロニクス ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 量子情報処理 ,  ヘテロ構造 ,  原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Magnetic topological insulators ,  Structure modeling ,  X-ray dynamical diffraction ,  Van der Waals epitaxy

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固有 ,  反強磁性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  統計的モデリング