文献

J-GLOBAL ID：202202227068657439   整理番号：22A0909199

MeVイオン照射中の自立極薄シリコンウエハの動的変形におけるトポロジカル欠陥の存在の可能性【JST・京大機械翻訳】

Possibility of the existence of a topological defect in dynamic deformation of the free-standing ultrathin silicon wafer during MeV ion irradiation

著者 (2件)： Minagawa Hideaki (Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8530, Japan) ,  Tsuchida Hidetsugu (Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8530, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 8  ページ： 085701-085701-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ8μmの自立超薄Siウエハのイオン照射誘起変形を研究した。1msの時間分解能でレーザ変位計を用いて変形の時間応答スペクトルを測定した。その結果,照射中に変形が現れ,照射後に消失した。変形はミリ秒時定数の速い変形と2番目の時定数の遅い変形から成る。変形メカニズムを同定するためにモデル計算を行った。高速変形は,ビーム加熱による結晶格子の膨張あるいは収縮から生じ,遅い変形がSi結晶におけるトポロジー欠陥形成から生じることを見出した。遅い変形の緩和時間は,消滅したトポロジー欠陥の配位数に関係する。この実験では,Si結晶の変形が配位数5までのトポロジー欠陥の形成において可逆的挙動を維持すると結論した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和時間 ,  結晶格子 ,  ビーム加熱 ,  高速変形 ,  *ウエハ【IC】 ,  時定数 ,  *イオン照射 ,  応答スペクトル ,  配位数 ,  時間分解能
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *トポロジー的欠陥 ,  変形機構 ,  モデル計算 ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン照射 ,  自立 ,  シリコンウエハ ,  動的変形 ,  トポロジカル欠陥 ,  可能性