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J-GLOBAL ID：202202227073508429   整理番号：22A1175419

非対称チャネル無接合電界効果トランジスタ:MOS構造バイオセンサ【JST・京大機械翻訳】

Asymmetric Channel Junctionless Field-Effect Transistors: a MOS Structure Biosensor

著者 (3件)： Bhuiyan A F M Anhar Uddin (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh) ,  Bhuiyan A F M Anhar Uddin (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Subrina Samia (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 6  ページ： 2489-2497  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,従来の二重ゲート接合レス電界効果トランジスタ(DG JLFET)における非対称チャネル厚さを,広いソースの狭いドレイン(WSND)と狭いソースの広いドレイン(NSWD)構造を組み込むことにより,シミュレーションを実施した。狭いあるいは広いサイドチャネル厚さを変えることによって,提案した構造は,従来の接合なしFETと比較して,性能最適化の柔軟性,例えば,より良いI_ON/I_OFF比およびサブ閾値スイング(SS)特性を提供する。異なる構造寸法,ドーピング濃度及びゲート酸化物による電気特性の研究は,提案した構造が次世代高速及び低電力応用に対して実現可能であることを示唆した。さらに,本研究は,乾燥環境における生体分子検出のためのバイオセンサとして提案した構造の適用性と操作を探究するために拡張した。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  厚み ,  ドーピング ,  *対称通信路 ,  電力応用 ,  電気特性 ,  *MOS構造 ,  チャネル ,  ソース【半導体】 ,  *バイオセンサ
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  ゲート酸化膜 ,  生体分子 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二重ゲート無接合電界効果トランジスタ(DG-JLFET) ,  ワイドソースナロードレーン(WSND) ,  ナローソースワイドドレイン(NSWD) ,  バイオセンサ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 対称チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  MOS構造 ,  バイオセンサ