文献
J-GLOBAL ID:202202227088968575   整理番号:22A0828529

Tetrelのピンチを加える:中心対称金属の非同形およびキラル半導体への変換【JST・京大機械翻訳】

Add a Pinch of Tetrel: The Transformation of a Centrosymmetric Metal into a Nonsymmorphic and Chiral Semiconductor
著者 (15件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: e202104319  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0744A  ISSN: 0947-6539  CODEN: CEUJED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
対称性スクッテルダイトRhP_3を,Pに対するSiの部分置換により,非同形およびキラル化合物RhSi_0.3P_2.7(空間群P2_12_121)に変換した。X線結晶学と固体31P NMRの組み合わせにより決定した構造は,金属リン化物の中でユニークな分岐ポリアニオンP/Si鎖を示した。局所非中心対称cis-RhSi_2P_4およびfac-RhSi_3P_3フラグメントを安定化する駆動力は,Rh t_2g型軌道と非占有反結合Si/P軌道の間のπ電子逆供与であり,PよりもSiに対して効果的であった。その場研究と全エネルギー計算は,RhSi_0.3P_2.7の準安定性を明らかにした。電子構造計算は,中心対称立方RhP_3が金属であることを予測し,輸送特性測定により確認した。対照的に,キラル斜方晶系RhSi_0.3P_2.7の電子構造はバンドギャップを含み,この化合物は狭いギャップ半導体であることを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物一般及び元素 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る