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J-GLOBAL ID：202202227120642738   整理番号：22A0574319

磁気トンネル接合における負の界面容量とその異方性【JST・京大機械翻訳】

The negative interface capacitance and its anisotropy in magnetic tunnel junctions

著者 (13件)： Yao Xinping (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Sun Kun (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Hu Yueguo (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Qiu Xiaotian (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Ji Minhui (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Zhang Xinmiao (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Pan Mengchun (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Peng Junping (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Hu Jiafei (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Qiu Weicheng (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Zhang Qi (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Piao Hong-Guang (Yichang Key Laboratory of Magnetic Functional Materials, College of Science, China Three Gorges University, Yichang 443002, China) ,  Li Peisen (College of Intelligence Science and Technology, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 549  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル磁気容量(TMC)効果による磁気トンネル接合(MTJ)の静電容量は,多くの注目を集めているが,静電容量異方性に関する研究はまだ不足している。本研究では,MgOベースのMTJにおける静電容量の研究を行った。負のキャパシタンスを観測し,MTJにおける界面容量の重要性を示した。更なる研究において,界面キャパシタンスは2つの強磁性層(FM)における磁化の相対的配向に依存し,強い異方性を示した。緩和時間の磁化依存性と組み合わせたDebye-Frohlichモデルを導入し,挙動を説明した。2つのFM磁化の相対角の関数としての緩和時間の理論と実験結果は良く適合した。TMCは界面電荷蓄積とスピン依存トンネリングに由来することを明らかにした。すべての結果は,見かけの異方性を有する界面キャパシタンスがTMCにおいて本質的な役割を果たすことを示唆する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *界面 ,  緩和時間 ,  強磁性 ,  磁化 ,  トンネル効果 ,  酸化マグネシウム ,  依存性 ,  *トンネル接合 ,  静電容量
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合 ,  磁気容量 ,  界面電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気トンネル接合 ,  界面 ,  異方性