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J-GLOBAL ID：202202227178910643   整理番号：22A0706697

多重電子価電子バンドの収束によるp型SnSe結晶の高熱電性能の実現【JST・京大機械翻訳】

Realizing High Thermoelectric Performance in p-Type SnSe Crystals via Convergence of Multiple Electronic Valence Bands

著者 (10件)： Siddique Suniya (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Gong Yaru (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Abbas Ghulam (Applied Physics, Division of Materials Science, Department of Engineering Sciences and Mathematics, Lulea University of Technology, Sweden) ,  Yaqoob Manzar Mushaf (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, P. R. China) ,  Li Shuang (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Zulkifal Shahzada (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Zhang Qingtang (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Hou Yunxiang (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Chen Guang (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China) ,  Tang Guodong (MIIT Key Laboratory of Advanced Metallic and Intermetallic Materials Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 3  ページ： 4091-4099  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe結晶は,それらの優れた熱電性能のためにかなりの興味を得た。ここでは,価電子帯収束と点欠陥工学戦略により,Sn_0.99-xPb_xZn_0.01Se結晶において優れた熱電特性を達成した。PbとZnの共ドーピングは,バンド構造を著しく修正することにより,多重価電子帯間のエネルギーオフセットを収束し,Seebeck係数の増強に寄与することを示した。キャリア濃度と電気伝導率を最適化でき,増強力率を導いた。SnSe格子中のPbとZnの置換により生成された二重原子点欠陥効果は,強いフォノン散乱を導入し,格子熱伝導率を0.284Wm-1K-1と低く低下させた。結果として,773Kで1.9の最大ZT値が,bc面方向に沿ってSn_0.93Pb_0.06Zn_0.01Se結晶で達成された。本研究は,SnSe熱電体をさらに改良する際の多重電子価電子帯を操作する重要な役割を強調した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  散乱 ,  点欠陥 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  亜鉛 ,  鉛 ,  *結晶 ,  ドーピング ,  *多重化 ,  電気特性 ,  キャリア密度 ,  *価電子バンド ,  オフセット ,  輸送係数
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  共ドーピング ,  格子熱伝導率 ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SnSe結晶 ,  熱電材料 ,  バンド収束 ,  エネルギーオフセット ,  フォノン散乱 ,  格子熱伝導率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重 ,  電子 ,  価電子バンド ,  収束 ,  結晶 ,  高熱