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J-GLOBAL ID：202202227313082764   整理番号：22A1094824

ホスゲンのための潜在的分子センサとしてのTi,NiおよびCu修飾ボロスフェア【JST・京大機械翻訳】

Ti, Ni, and Cu decorated borospherene as potential molecular sensor for phosgene

著者 (3件)： Soliman Kamal A. (Department of Chemistry, Faculty of Science, Benha University, P.O. Box 13518, Benha, Egypt) ,  Aal S. Abdel (Department of Chemistry, Faculty of Science, Benha University, P.O. Box 13518, Benha, Egypt) ,  Aal S. Abdel (Department of Chemistry, College of Science, Qassim University, Saudi Arabia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いて,元のボロスフェア(B_40)とTi,Ni,およびCu原子との修飾B_40上のホスゲン分子の相互作用を研究した。本研究では,吸着エネルギー,双極子モーメント,自然結合軌道(NBO)からの電荷,フロンティア分子軌道(FMO),電子局在化関数(ELF),状態密度(DOS),投影状態密度(PDOS)および熱力学パラメータを解析した。著者らの結果は,修飾B_40上のホスゲンの吸着エネルギーと電気伝導率が増加して,修飾B_40の感度がホスゲンに向かって改善されるかもしれないことを明らかにした。従って,Ti修飾B_40はホスゲンガスに対する感度を改善する良好なセンサである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 双極子モーメント ,  相互作用 ,  電気伝導率 ,  *チタン ,  *銅 ,  *ニッケル ,  *ホスゲン ,  状態密度 ,  センサ ,  分子軌道 ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 局在化 ,  熱力学パラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： DFT ,  ボロスフェアン ,  Ti ,  Ni ,  およびCu修飾B40 ,  PDOS ,  ELF ,  熱力学的パラメータ

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホスゲン ,  分子 ,  Ti ,  Ni ,  Cu ,  修飾