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J-GLOBAL ID：202202227597963160   整理番号：22A0430943

基板上のスパッタおよび後方散乱原子のエネルギーに対するDCマグネトロンスパッタリングにおける放電電圧の重要性:モンテカルロシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

The importance of discharge voltage in DC magnetron sputtering for energy of sputtered and backscattered atoms on the substrate: Monte-Carlo simulations

著者 (2件)： Farhadizadeh Alireza (Department of Physics and NTIS - European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 30614, Plzen, Czech Republic) ,  Kozak Tomas (Department of Physics and NTIS - European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 30614, Plzen, Czech Republic)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 196  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングにおける成長膜の改質における主な突出は,基板上への到着種のエネルギーである;しかし,このような重要因子に対する放電電圧の影響は典型的に見落とされている。本研究の主目的は,光および重元素(C,Al,Ti,Zr,Hf,Ta,W,およびAu)に対するモンテカルロシミュレーションを用いて,与えられた入力パワーでの放電電圧に関して,成長膜への到達原子の数とエネルギーを調査することである。最初に,スパッタ原子と後方散乱アルゴンのスパッタリング収率,エネルギーおよび角分布をターゲットで計算した。その後,スパッタされた原子のエネルギーおよび角分布および基板上への後方散乱アルゴンならびに堆積速度を計算した。最後に,トラップされたアルゴン濃度と堆積被覆の密度は,一定電力で300-1500Vの範囲で放電電圧を変えると,蒸着原子当たり5から140eVまで,基板への供給エネルギーを変えることができるハフニウム堆積に対して,大まかに推定された。放電電圧を変えると,微細構造工学または高感度基板の破壊を回避するための成長膜へのエネルギー入力を制御する大きな柔軟性を与える。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  角分布 ,  薄膜 ,  電力 ,  アルゴン ,  ハフニウム ,  被覆 ,  堆積速度 ,  *後方散乱 ,  マグネトロンスパッタリング ,  蒸着
準シソーラス用語： *モンテカルロシミュレーション ,  *放電電圧 ,  *DCマグネトロンスパッタリング ,  スパッタリング収率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： モンテカルロシミュレーション ,  再スパッタリング ,  堆積速度 ,  薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  エネルギー移動

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタ ,  後方散乱 ,  原子 ,  エネルギー ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  放電電圧 ,  重要性 ,  モンテカルロシミュレーション