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J-GLOBAL ID：202202227817810200   整理番号：22A0969754

不安定二次元Sn_2BiはSi(111)上に実験的に実現できるか?【JST・京大機械翻訳】

How can the unstable two-dimensional Sn₂Bi be experimentally realized on Si(111)?

著者 (5件)： Peng Jing (School of Physics and Electronic & Electrical Engineering, and Jiangsu Key Laboratory of Modern Measurement Technology and Intelligent Systems, Huaiyin Normal University, Jiangsu, People’s Republic of China) ,  Zhuang Chen (School of Physics and Electronic & Electrical Engineering, and Jiangsu Key Laboratory of Modern Measurement Technology and Intelligent Systems, Huaiyin Normal University, Jiangsu, People’s Republic of China) ,  Gu Haoming (School of Physics and Electronic & Electrical Engineering, and Jiangsu Key Laboratory of Modern Measurement Technology and Intelligent Systems, Huaiyin Normal University, Jiangsu, People’s Republic of China) ,  Zhu Liyan (School of Physics and Electronic & Electrical Engineering, and Jiangsu Key Laboratory of Modern Measurement Technology and Intelligent Systems, Huaiyin Normal University, Jiangsu, People’s Republic of China) ,  Zhang Tingting (School of Physics and Electronic & Electrical Engineering, and Jiangsu Key Laboratory of Modern Measurement Technology and Intelligent Systems, Huaiyin Normal University, Jiangsu, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 24  号： 3  ページ： 72  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多目的二次元(2D)材料,Sn_2Biを半導体Si(111)基板上に成長させた。しかし,2D Sn_2Biの自立型は面外変形により動的に不安定であることが分かった。理論計算は,自立した2D Sn_2Biがポテンシャルエネルギー面の鞍点に対応し,一方,担持の場合,Sn原子とSi原子の間の新しく生成した共有結合がSn_2BiとSi(111)の巨大吸着エネルギーをもたらし,2D Sn_2Biのポテンシャルエネルギー景観を著しく変化させ,Sn_2Biの面外変形を抑制することを示した。したがって,巨大な界面相互作用は,最終的に2D Sn_2Biを安定化し,Si(111)上の2D Sn_2Biの例外的な合成の原因となる基礎となる機構である。また,基質上の2D材料の安定性増強を合理的に理解するための簡易現象論的モデルも提案し,基板存在下の2D材料の格子動力学を良く捉えることができた。さらに,Rashbaスピン-軌道結合(SOC)強度の直接推定は,最低伝導バンドに対してΓ点で1.22eVÅの巨大値をもたらした。このような巨大RashbaSOCは,2D Sn_2Biがスピントロニクス応用における有望な候補であることを意味する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature B.V. 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子力学 ,  相互作用 ,  半導体 ,  *スズ ,  基質 ,  ポテンシャルエネルギー ,  伝導バンド ,  *二次元 ,  共有結合 ,  鞍点 ,  ポテンシャルエネルギー面 ,  吸着エネルギー ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 界面相互作用 ,  理論計算 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  動的安定性 ,  界面相互作用 ,  ナノ構造 ,  スピントロニクス関連

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  実験