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J-GLOBAL ID:202202227912899810   整理番号:22A0100985

DCバイアス支援インピーダンス解析に基づくフラッシュ焼結3Y-TZPセラミックの位置敏感電気特性【JST・京大機械翻訳】

Position-sensitive electric property of flash-sintered 3Y-TZP ceramics based on DC bias assisted impedance analysis
著者 (11件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 2882-2885  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,直流(DC)バイアスによるインピーダンス分光法を用いて,アノード,中間,カソードおよび磁場近傍におけるフラッシュ焼結3mol%Y_2O_3ドープ正方晶ジルコニア多結晶(3Y-TZP)セラミックの電気的性質および酸素空孔を分析した。電気特性は,修正Debye回路モデルを用いて得られ,酸素空孔濃度は二重Schottky障壁モデルを用いて計算した。興味深いことに,位置感受性電気特性と酸素空孔濃度の現象が観察された。それは,試験試料のフラッシュ後に,アノード,中間およびカソード近傍で電気的に不均一になることを意味する。カソード近傍で発生する中性酸素空格子点は,基本的にこの独特の現象の原因となる。ここでの知見はフラッシュ焼結の機構を調べ,ZrO_2セラミック電解質の電気的性質を調整するのに有用である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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燃料電池 

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