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J-GLOBAL ID：202202228007846384   整理番号：22A0886874

遷移元素ドープビスマスフェライトの構造的,磁気的および光学的研究【JST・京大機械翻訳】

Structural, Magnetic and Optical Study of Transition Element Doped Bismuth Ferrite

著者 (8件)： Arti (Department of Physics, Hindu College, University of Delhi, Delhi, India) ,  Arti (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, India) ,  Anahat (Department of Physics, Hindu College, University of Delhi, Delhi, India) ,  Kumar Sumit (Department of Physics, Hindu College, University of Delhi, Delhi, India) ,  Kumar Sumit (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, India) ,  Kumar P. (Department of Physics, Hindu College, University of Delhi, Delhi, India) ,  Kumar P. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, India) ,  Verma Vivek (Department of Physics, Hindu College, University of Delhi, Delhi, India)
資料名： Springer Proceedings in Physics  (Springer Proceedings in Physics)
巻： 271  ページ： 243-251  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5066A  ISSN： 0930-8989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋およびマンガン(Mn)ドープビスマスフェライトの強化された構造的および光学的特性を,ゾル-ゲル法を調製法として用いて研究した。走査電子顕微鏡分析は,Mnドーピングが粒径を減少させることを示した。M-HループはMnドーピングによる改質磁気特性を示した。BFOの誘電率ε′=63.68とΔε=12.47の値はマンガン含有量の増加とともに増強され,BiFe_0.8Mn_0.2O_3試料で最大であった。強誘電性P-Eループの観察された挙動はBFO試料中のマンガン含有量の増加に伴う改質を示した。改質強誘電挙動はI-V特性,すなわち暗電流のより良い応答をもたらし,光電流値において良好な応答をもたらす。Mnドーピングは,U-V可視応答から評価したように,BiFe_xMn_1-xO_3のバンドギャップの狭小化をもたらした。純粋およびMnドープビスマスフェライトは,I-V特性から漏れ電流の改質を示し,これはより良い光起電力応答をもたらす。BFO中のMnドーピングは,種々の性質で改質挙動を示し,BFOを種々の用途のためのより良い材料にする。Copyright Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  光起電力 ,  光電流 ,  誘電率 ,  磁気的性質 ,  マンガン ,  電流電圧特性 ,  ゲル ,  強誘電性 ,  *磁気 ,  ドーピング ,  暗電流 ,  漏れ電流 ,  ゾル-ゲル法 ,  バンドギャップ

著者キーワード (4件)： セラミック ,  ゾル-ゲル ,  強誘電体 ,  太陽光発電

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移元素 ,  磁気 ,  光学 ,  研究